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[期刊论文] 作者：M.T.Duffg,J.T.Mcginn,张光远,
来源：微电子学 年份：1984
在高密度的集成电路中,应用多晶硅来作栅极、互连线和负载电阻时,它的晶体结构和表面平整度是重要的特性。本研究是根据扩散掺杂和离子注入前后硅层的结构,形貌以及电性能来...
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