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[期刊论文] 作者：D.H.Park,杨文钊,,
来源：半导体情报 年份：1991
用GaAs/Al_(0.32)Ga_(0.68)As,In_(0.15)Ga_(0.85)As/Al_(0.15)Ga_(0.85)As和Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_(0.48)In_(0.52)As三种不同材料系统制作了栅长几乎都为0.35μm的HEMT...
[会议论文] 作者：D.H.Park,S.P.Jung,I.S.Yun,K.H.Seo,Y.I.Kang,D.G.Kang,
来源：IUPAC 5th International Symposium on Novel Materials and the 年份：2009
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[会议论文] 作者：D.H.Park,S.P.Jung,I.S.Yun,Y.I.Kang,D.G.Kang,K.H.Seo,
来源：IUPAC 5th International Symposium on Novel Materials and the 年份：2009
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[会议论文] 作者：H.Y.Park,D.H.Park,K.H.Seo,K.D.Kang,S.M.Shin,S.S.Kim,I.R.Jeon,K.R.Ha,
来源：IUPAC 5th International Symposium on Novel Materials and the 年份：2009
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[会议论文] 作者：H.Y.Park,D.H.Park,K.D.Kang,S.M.Shin,S.S.Kim,I.R.Jeon,K.R.Ha,K.H.Seo,
来源：IUPAC 5th International Symposium on Novel Materials and the 年份：2009
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