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[期刊论文] 作者：徐成,刘波,冯高明,吴良才,宋志棠,封松林,Bomy Che,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明：Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变...
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