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[期刊论文] 作者：杨宏伟,麻茂生,
来源：化学物理学报 年份：1997
利用光电子能谱技术研究了室温Ｃｅ膜表面的氧化，分析了在不同氧气暴露量下，稀土金属Ｃｅ氧化状态和样品功函数的变化，结果表明，在Ｏ２吸会的过程中，生成两种Ｃｅ的氧化物，在低的暴露量时，氧在Ｃｅ表面的......
[期刊论文] 作者：吴建新,麻茂生,
来源：化学物理学报 年份：1995
本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了......
[会议论文] 作者：麻茂生,蔡闻文,
来源：第四届全国电子能谱与固体表面化学学术讨论会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：杨靖鑫,吴申立,丁小聪,董兆文,麻茂生,
来源：电子与封装 年份：2020
主要针对LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)滤波器电气连通率较低的问题进行了相关研究。通过比较,发现自制的LTCC滤波器端口导带露出端偏薄,从而导致在端口印上导带之...
[期刊论文] 作者：方文秀,麻茂生,陈嵘嵘,庄叔贤,季明荣,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1993
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[期刊论文] 作者：方文秀,陈嵘嵘,庄叔贤,麻茂生,季明荣,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1993
利用UPS、XPS、AES、△φ和热脱附等方法,研究了室温、低分压下氯在Cu(100)面上的吸附行为以及它对氧共吸附的影响。氯解离化学吸附在铜表面上,其吸附过程包括初始快速吸附,...
[期刊论文] 作者：陆尔东,季明荣,麻茂生,刘先明,徐彭寿,
来源：物理化学学报 年份：1995
应用表面分析技术ＸＰＳ和ＡＥＳ（包括深度分布）分析了非晶Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｐ１４Ｂ６合金在Ｈ３ＢＯ３－Ｎａ２Ｂ４Ｏ７（ＰＨ＝９．２０）缓冲溶液中不同钝化时间形成的阳极钝化膜的元素化学状态、结构和化学组成，探讨了加入Ⅲ、Ｖ族Ｂ、Ｐ对非晶ＦｅＮｉ基合金钝化金钝化成膜的......
[期刊论文] 作者：陆尔左,季明荣,麻茂生,刘先明,徐彭寿,
来源：物理化学学报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：庄叔贤,季明荣,吴建新,屠兢,麻茂生,K.Wandelt,
来源：化学物理学报 年份：1995
用ＸＰＳ，ＵＰＳ，ＡＥＳ和功函数测量等方面研究了不同温度不氯的吸附和脱附，氯在Ｎｉ（１１０）表面是解离的化学吸附，其初始粘附几率及饱和复盖度都与吸附温度有关。氯吸附的Ｎｉ（１１０）表面即使加热到７００Ｋ都不能导致氯原子向体......
[期刊论文] 作者：吴建新,麻茂生,刘先明,朱警生,季明荣,
来源：化学物理学报 年份：1995
本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温ＴＯ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的健合状态以及对衬底的催化氢化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬......
[期刊论文] 作者：陆尔东,徐彭寿,季明荣,麻茂生,刘先明,
来源：物理化学学报 年份：1995
Anodic passive filins formed on Fe60Ni40 in H3BO3-Na2B4O7 buffer solution (pH=9.20) and in H3PO4-Na2HPO4 buffer solution (pH=7.41) have been investigated by XPS...
[期刊论文] 作者：杨宏伟,麻茂生,刘先明,季明荣,朱警生,吴建新,
来源：化学物理学报 年份：1997
利用光电子能谱技术研究了室温下Ｃｅ膜表面的氧化，分析了在不同氧气暴露量下，稀土金属Ｃｅ氧化状态和样品功函数的变化。结果表明，在Ｏ２吸附的过程中，生成两种Ｃｅ的氧化物。在低的暴露量时，氧在......
[期刊论文] 作者：徐世红,徐彭寿,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1994
我们用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和真空紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究了碱金属Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面形成和电子结构特性，ＸＰＳ和ＵＰＳ测量表明，在Ｃｓ的覆盖度低于０．５ＭＬ时，Ｃｓ与衬底ＩｎＰ之间既没有化学反应也没有扩散，当Ｃｓ的覆盖扩大于０．５ＭＬ时，Ｉｎ和Ｐ开始向表面扩......
[期刊论文] 作者：许存义,左健,麻茂生,杨嘉玲,许高杰,王俊新,傅佩珍,
来源：化学物理学报 年份：1995
本文对新型非线晶体二水硝酸镧钾（Ｋ２Ｌａ（ＮＯ３）５．２Ｈ２Ｏ）的晶格振动进行了群论分析，给出了该晶体在Г点晶格振动的对称性分类，它们是４２Ａ１＋４２Ａ２＋４５Ｂ１＋４５Ｂ２。其中声学模为Ａ１＋Ｂ１＋Ｂ２，拉曼活性模为４１Ａ１＋４２Ａ２＋４４Ｂ１＋４４Ｂ２。红外活性模为４１Ａ１＋４４Ｂ１＋４４Ｂ２，测量了该晶体不同几何配......
[期刊论文] 作者：徐彭寿,徐世红,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,许振嘉,
来源：化学物理学报 年份：1994
我们用ＸＰＳ、ＵＰＳ及功函数的测量研究了氧在Ｃｓ复盖的及清洁的ＧａＡｓ（１００）表面的吸附行为．实验结果证明，在０．６ＭＬ的Ｃｓ复盖度下，碱金属Ｃｓ可以使衬底的氧化大大增强．在氧吸附初期（＜１Ｌ），氧优先吸附在碱金属复盖层以下或碱金......
[期刊论文] 作者：徐彭寿,徐世红,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,许振嘉,
来源：真空科学与技术 年份：1994
用光电子能源谱技术（XPS和UPS）研究了金属Cs和Na与GaAs（100）的界面形成。实验结果表明，Cs和Na吸附在GaAs（100）表面时，衬底As向外扩散，形成混合相。在Na吸附的表面，As扩散程度比Cs吸附的......
[期刊论文] 作者：徐彭寿,徐世红,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,许振嘉,
来源：真空科学与技术 年份：1994
用光电子能谱技术（XPS和UPS）研究了碱金属Cs和InP（100）的界面形成和退火效应。实验结果表明，在覆盖低于0．5ML时，Cs和InP（100）形成突变界面。当覆盖度增加后，Cs－In产生置换反应，界面形成混......
[期刊论文] 作者：徐彭寿,徐世红,朱警生,刘先明,麻茂生,张裕恒,许振嘉,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1995
用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响。实验表明，价带偏移与夹层厚度有关。０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ枳ｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ。碱金属与衬底相互作用而引起......
[期刊论文] 作者：徐彭寿,徐世红,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,许振嘉,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1994
用光电子能谱技术（ＸＰＳ和ＵＰＳ）研究了Ｒｂ／ＩｎＰ（１００）的界面形成和电子结构．实验结果表明，当Ｒｂ淀积到ＩｎＰ（１００）表面时，它首先表现为物理吸附，形成突变界面．随Ｒｂ复盖量的增加，Ｒｂ向ＩｎＰ体内扩散，Ｒｂ－Ｉｎ之间发生置换反应．此时Ｒｂ－Ｐ形成化学健．退火......
[期刊论文] 作者：徐世红,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,徐彭寿,许振嘉,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1993
用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）方法研究了界面特性和Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）异质结的能带偏离关系。实验表明，当在清洁的ＧａＡｓ（１００）表面生长Ｇｅ异质结时，其价带偏离（△Ｅｖ）与界面特性无关，而在Ａｒ离子注入的ＧａＡｓ（１００）表面上生长的Ｇｅ异质结，其价带偏离与Ａｒ＾＋离......
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