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利用光电子能谱技术研究了室温Ce膜表面的氧化,分析了在不同氧气暴露量下,稀土金属Ce氧化状态和样品功函数的变化,结果表明,在O2吸会的过程中,生成两种Ce的氧化物,在低的暴露量时,氧在Ce表面的吸队十分迅速,生成Ce2O3,同时,Ce2O3中的Ce3d和Ols谱峰随着氧气暴露量的增加向低结合能方向漂移,在高的暴露量下,氧在表面的吸附趋子缓慢,表面的Ce2O3被氧化成CeO2,通过对样品加热,能使得