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[期刊论文] 作者：魏文喆,,
来源：时代金融 年份：2016
旅游业在近十余年来发展快速,在人们日常生活中占据的比重越来越大,有着光辉的发展前景,一个国家现在的GDP增长很大程度来自于以旅游业为重要角色的第三产业。中国作为历史悠...
[学位论文] 作者：魏文喆,,
来源：中国科学技术大学 年份：2004
危机事件的发生通常会导致人员和财产方面的损失,打断企业正常的生产经营,并造成恶劣影响。鉴于信息披露要求的强制性,事故公告是上市企业普遍所利用进行危机沟通的手段,公众...
[学位论文] 作者：魏文喆,
来源：中国科学技术大学 年份：2020
危机事件的发生通常会导致人员和财产方面的损失，打断企业正常的生产经营，并造成恶劣影响。鉴于信息披露要求的强制性，事故公告是上市企业普遍所利用进行危机沟通的手段，公众主要通过企业所披露的公告内容了解企业危机发生的原因、进展和影响。研究企业危机影响、危......
[期刊论文] 作者：魏文喆, 周磊, 魏玖长,,
来源：中国科学技术大学学报 年份：2004
以信号理论和情境危机沟通理论为研究基础,搜集2007～2018年中国A股上市公司的220起安全事故公告并量化其内容,通过事件研究法计算得出股票异常收益率及累计异常收益率,验证了...
[期刊论文] 作者：魏文喆,周磊,魏玖长,
来源：中国科学技术大学学报 年份：2020
以信号理论和情境危机沟通理论为研究基础,搜集2007～2018年中国A股上市公司的220起安全事故公告并量化其内容,通过事件研究法计算得出股票异常收益率及累计异常收益率,验证了...
[期刊论文] 作者：王一,黄梦雅,魏文喆,丁召,
来源：大学物理 年份：2014
利用动量表象与坐标表象的等价性，本文采用了动量表象和路径积分的方法计算了恒力场下一维运动粒子的传播函数，然后再将其转换为坐标表象下的传播函数．提出了一种路径积分的解法......
[期刊论文] 作者：罗子江,周勋,郭祥,王继红,魏文喆,王一,丁召,,
来源：材料导报 年份：2013
采用分子束外延（MBE）方法,通过反射高能电子衍射（RH EED）强度振荡测算生长速率,利用RHEED衍射实时监控生长过程,在InAs（001）和InP（001）单晶衬底上生长高In组分的InGaAs薄膜,并通过扫......
[期刊论文] 作者：罗子江,周勋,王继红,郭祥,王一,魏文喆,丁召,,
来源：功能材料 年份：2014
采用 STM 以及 RHEED 技术对于 GaAs （001）的表面形貌相变过程（有序平坦→无序平坦→粗糙）进行了深入研究。通过 GaAs （001）在不同 As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,...
[会议论文] 作者：魏文喆;王一;郭祥;罗子江;周海月;赵振;丁召;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文提出在真空室中利用RHEED(reflection high-energy electron diffraction,反射高能电子衍射仪)实时监控对GaAs (001)表面γ(2×4)重构的温度不对称回滞进行研究,对比...
[期刊论文] 作者：赵振, 周海月, 郭祥, 罗子江, 王继红, 王一, 魏文喆,
来源：功能材料 年份：2015
基于分子束外延（MBE）技术,以反射式高能电子衍射仪（RHEED）作为实时监测工具,在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点,并利用扫描隧道显微镜（S......
[期刊论文] 作者：郭祥,王一,魏文喆,黄梦雅,赵振,王继红,胡明哲,丁召,,
来源：材料导报 年份：2015
利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs（001）基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs（001）基片上生长In0.14Ga0.86As（厚度均为20原子层）单晶薄...
[期刊论文] 作者：魏文喆,郭祥,刘珂,王一,罗子江,周清,王继红,丁召,,
来源：物理学报 年份：2013
利用反射式高能电子衍射(RHEED)实时监控对InAs衬底进行两步完全脱氧的过程,对比了有低(高)砷等效束流压强保护下采用两步法对InAs衬底缓慢长时间的高温脱氧过程.InAs衬底两...
[期刊论文] 作者：周海月,赵振,郭祥,魏文喆,王一,黄梦雅,罗子江,丁召,,
来源：材料导报 年份：2015
通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53Ga0.47As薄膜表面重构进行研究。研究发现在两种As4BEP条件下,样品表...
[会议论文] 作者：周海月,郭祥,赵振,王一,魏文喆,罗子江,王继红,丁召,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文主要探索InAs衬底,在异质外延之前,衬底脱氧之后,InAs/InAs同质外延的生长、不同淬火关闭砷阀条件对InAs表面形貌的影响以及如何才能得到振荡强度较大且持续周期长的RHEED振荡,从而测出外延生长速率.InAs同质外延不能采用与GaAs相类似的长时间累积生长的方......
[会议论文] 作者：赵振,郭祥,罗子江,周海月,王一,魏文喆,杨晨,王继红,丁召,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
通过联合运用液滴外延法和SK法来研究生长的InGaAs量子点的密度、尺寸以及分布均匀性与沉积的In的量之间的关系，得到了不同In沉积量下形成的InGaAs量子的RHEED和STM图片.通过对InGaAs量子点的RHEED和STM图片的分析发现，先利用Ga液滴在GaAs (001)面上刻蚀出纳米洞，......
[期刊论文] 作者：周海月,赵振,郭祥,魏文喆,王一,罗子江,刘健,王继红,周勋,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al0.26Ga0.74As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min.利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al0.26Ga0.74As/GaAs样...
[期刊论文] 作者：周海月,赵振,郭祥,魏文喆,王一,罗子江,刘健,王继红,周勋,丁,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
...
[期刊论文] 作者：周海月,赵振,郭祥,魏文喆,王一,罗子江,刘健,王继红,周勋,丁召,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0....
[会议论文] 作者：周海月[1]郭祥[1]赵振[1]王一[1]魏文喆[1]罗子江[2]王继红[1]丁召[1],
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文主要探索InAs衬底,在异质外延之前,衬底脱氧之后,InAs/InAs同质外延的生长、不同淬火关闭砷阀条件对InAs表面形貌的影响以及如何才能得到振荡强度较大且持续周期长的...
[会议论文] 作者：赵振[1]郭祥[1]罗子江[2]周海月[1]王一[1]魏文喆[1]杨晨[1]王继红[1]丁召[1],
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
通过联合运用液滴外延法和SK法来研究生长的InGaAs量子点的密度、尺寸以及分布均匀性与沉积的In的量之间的关系，得到了不同In沉积量下形成的InGaAs量子的RHEED和STM图片....
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