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[学位论文] 作者：马继开,,
来源：大连理工大学 年份：2007
SiC材料是第三代宽禁带半导体材料的代表，因其在高温、高功率、高辐射条件下的优异性能，而成为“极端电子学”中最重要的研究对象之一；同时SiC材料又是除了Si材料之外唯一能够通......
[期刊论文] 作者：马继开,
来源：语数外学习·下旬 年份：2013
初中语文课程标准明确指出要注重培养学生的想象力，这对于学生学好语文有很大的帮助。众所周知，语文是一门具有极强人文性的学科，且有丰富的培养学生想象力的素材，比如语文教材中的文章都具有较强的文学性，文章所塑造的形象、体现的意境、表达的主题都与想象有着密切......
[期刊论文] 作者：马继开,
来源：语文教学与研究(综合天地) 年份：2014
综合实践活动是新课改提倡的一种教学形式，它体现了新课标的教育理念，也折射出了时代的精神。因此，在初中语文教学中，教师要充分开发语文教学资源，为学生提供广阔的实践空间，实现语文与生活的融合。那么，作为初中语文教师，应当采用哪些有效方法来开展综合实践活动呢？笔者......
[期刊论文] 作者：陈素华,王海波,赵亮,马继开,,
来源：半导体技术 年份：2008
实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti后可直接形成...
[期刊论文] 作者：戴敬, 肖朋, 杨志家, 马继开,,
来源：计算机工程与设计 年份：2015
为降低晶圆缺陷对半导体制造的影响,在基于改进的多重中值滤波算法的基础上,以差影法为基本原理,采用归一化互相关的模版匹配方法实现晶圆表面缺陷检测。改进的多重中值滤波...
[期刊论文] 作者：赵亮,王德君,马继开,陈素华,王海波,,
来源：半导体技术 年份：2008
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高......
[期刊论文] 作者：马继开,王德君,朱巧智,赵亮,王海波,,
来源：北京科技大学学报 年份：2008
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面...
[期刊论文] 作者：王德君,赵亮,朱巧智,马继开,陈素华,王海波,,
来源：半导体学报 年份：2008
采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标......
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