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[学位论文] 作者：韩录会,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2010
GaN和SiC都是第三代半导体材料的典型代表。它们具有耐高温、抗辐射、宽禁带、高电子迁移率、高击穿电压、高饱和电子漂移速度、高热导率等优良的性质，因此SiC被应用于高温抗...
[期刊论文] 作者：法涛,陈田祥,韩录会,莫川,,
来源：物理学报 年份：2016
采用磁控溅射方法在单晶硅（111）衬底上制备了AuCu3薄膜,用2 MeV He离子和1 MeV Au离子对薄膜进行辐照,用卢瑟福背散射对He,Au离子辐照前后AuCu3薄膜近表面的成分变化进行了分析...
[期刊论文] 作者：张丽,申亮,李瑞文,韩录会,,
来源：理化检验(物理分册) 年份：2014
为探索利用金属显微维氏硬度计测试合金微区成分偏聚区硬度变化的可行性,采用金属显微维氏硬度计,结合纳米压痕试验技术和激光共焦显微镜压痕深度轮廓曲线测量法,测试了V-5Cr...
[会议论文] 作者：韩录会,法涛,苏伟,潘社奇,
来源：第十三届全国正电子谱学会议 年份：2016
运用高温固相反应的方法制备了用于放射性废物固化处理研究的固化体材料钙钛锆石(CaZrTi2O7)，并通过掺入23.21％CeO2模拟锕系核素包容.利用北京大学加速器产生的1MeV Au离子...
[会议论文] 作者：韩录会,申亮,史鹏,张羽廷,陈丕恒,
来源：第十一届全国正电子湮没谱学会议 年份：2012
利用中子辐照Al-10B合金通过10B(n,α)7Li核反应法制备了含氦铝材料,经300-875K等时退火获得了不同氦泡的样品.通过对K.O.Jensen等人建立的公式中相应参数优化,利用测得...
[会议论文] 作者：韩录会,申亮,史鹏,陈丕恒,张羽廷,
来源：第十一届全国正电子湮没谱学会议 年份：2012
利用中子辐照Al-10B合金通过10B(n,α)7Li核反应法制备了含氦铝材料,经300-875K等时退火获得了不同氦泡的样品.通过对K.O.Jensen等人建立的公式中相应参数优化,利用测得...
[期刊论文] 作者：张丽卿,张崇宏,韩录会,杨义涛,宋银,
来源：强激光与粒子束 年份：2015
高电荷态离子比普通的离子携带较高的势能,势能在材料表面的瞬间释放,能在材料表面形成nm量级的结构损伤。它在纳米刻蚀、小型纳米器件、纳米材料、超小尺寸半导体芯片制作、...
[期刊论文] 作者：张丽卿,张崇宏,韩录会,杨义涛,宋银,,
来源：强激光与粒子束 年份：2015
高电荷态离子比普通的离子携带较高的势能,势能在材料表面的瞬间释放,能在材料表面形成nm量级的结构损伤。它在纳米刻蚀、小型纳米器件、纳米材料、超小尺寸半导体芯片制作、...
[期刊论文] 作者：张丽卿,张崇宏,韩录会,杨义涛,宋银,
来源：强激光与粒子束 年份：2015
高电荷态离子比普通的离子携带较高的势能，势能在材料表面的瞬间释放，能在材料表面形成nm量级的结构损伤。它在纳米刻蚀、小型纳米器件、纳米材料、超小尺寸半导体芯片制作、固体表面处理和固体结构分析等领域具有广泛应用前景。因此对高电荷态重离子（Xeq ）引起半导......
[会议论文] 作者：韩录会, 法涛, 赵雅文, 张丽, 向鑫, 刘柯钊,,
来源： 年份：2004
ODS钢因在高温条件下具有良好的力学性能,优良的抗蠕变性能及抗中子辐照肿胀性能而成为先进核能系统如快堆（FBR）结构材料、聚变堆第一壁材料的最佳选择[1]。在反应堆环境下,材...
[期刊论文] 作者：韩录会,法涛,赵雅文,张丽,向鑫,刘柯钊,,
来源：原子能科学技术 年份：2015
为研究氧化物弥散强化铁素体钢（ODS钢）中的He/H离子协同辐照效应,本文开展了室温条件下ODS钢的He/H离子单一及复合辐照实验,并研究了辐照损伤对其显微硬度的影响。实验结果表明...
[会议论文] 作者：杨义涛,李炳生,张勇,韩录会,张崇宏,张丽卿,
来源：第四届全国反应堆物理与核材料学术研讨会 年份：2009
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[会议论文] 作者：杨义涛,张崇宏,李炳生,张丽卿,张勇,韩录会,
来源：第四届全国反应堆物理与核材料学术研讨会 年份：2009
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[期刊论文] 作者：韩录会,张崇宏,张丽卿,杨义涛,宋银,孙友梅,,
来源：物理学报 年份：2010
利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离...
[会议论文] 作者：张利民,张崇宏,张丽卿,贾秀军,韩录会,徐超亮,张勇,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
使用高分辨X射线衍射(HRXRD)的测量,研究了室温下5.3MeVKr离子辐照的InGaN/GaN 异质结。Kr离子的辐照剂量范围为1011～1013cm-2。实验结果表明当辐照剂量达到1×1013cm-2时,InG...
[会议论文] 作者：张勇,张丽卿,贾秀君,韩录会,杨义涛,徐超亮,张崇宏,
来源：第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会 年份：2010
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[会议论文] 作者：徐超亮,张崇宏,张勇,张丽卿,贾秀君,韩录会,杨义涛,
来源：第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会 年份：2010
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[期刊论文] 作者：贾秀军, 张崇宏, 张丽卿, 杨义涛, 张勇, 韩录会, 徐超亮,
来源：原子核物理评论 年份：2011
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[会议论文] 作者：贾秀军,张崇宏,张丽卿,杨义涛,张勇,韩录会,徐超亮,张利民,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
我们分别开展了2.3MeV20Ne8+离子和5.0MeV84K19+离子辐照GaN样品的实验.并对实验样品进行了高分辨XRD的分析。我们发现，随着这两种离子辐照剂量的增大，GaN高分辨XRD谱(0001)衍射峰的峰位出现了向小角侧的有规律的移动。并在较高剂量时衍射峰发生分裂。本文对衍射......
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