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[学位论文] 作者：陈足红,
来源：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 年份：2008
六方纤锌矿结构ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温禁带宽度为3.37 eV，激子结合能为60 meV，远高于其它宽禁带半导体材料的激子结合能，如GaN为25 meV,可以实现室温或...
[期刊论文] 作者：陈金燕,陈足红,
来源：福建医药杂志 年份：2020
研究显示,患者在医院需要停留大概4h方能完成整个就诊过程,但患者真正享受到的有效服务时间仅仅是门诊看病时的8min左右的时间和做检查时约30~60min的时间,但是却在就诊过程...
[会议论文] 作者：李红玲,刘锦瑶,陈足红,
来源：全国手术室护理学术交流会 年份：2003
新生儿窒息,在手术室剖宫产时有发生.它指的是胎儿在分娩后仅有心跳而无呼吸,以致出现一系列的呼吸衰竭症状.新生儿窒息是围产儿死亡的主要原因,因此,对新生儿窒息抢救必须做到有条不紊,分秒必争.......
[期刊论文] 作者：陈足红,姚斌,郑昌佶,杨通,赵婷婷,单崇新,张振中,李炳辉,,
来源：发光学报 年份：2009
利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜（ZnO：In，P），所用靶材为掺杂五氧化二磷（P2O3）和氧化铟（In：O3）的氧化锌（ZnO）陶瓷靶，掺杂质量分数分别为1．5％和0．3％，溅射气体为Ar和O2的混......
[期刊论文] 作者：陈足红,姚斌,郑昌佶,杨通,赵婷婷,单崇新,张振中,李炳辉,张吉英,申德振,
来源：发光学报 年份：2009
利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜(ZnO∶In,P),所用靶材为掺杂五氧化二磷(P2O5)和氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO)陶瓷靶,掺杂质量分数分别为1.5%和0.3%,溅...
[期刊论文] 作者：陈足红,姚斌,郑昌佶,杨通,赵婷婷,单崇新,张振中,李炳辉,张吉英,申德振,,
来源：发光学报 年份：2004
利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜(ZnO:In,P),所用靶材为掺杂五氧化二磷(P2O5)和氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO)陶瓷靶,掺杂质量分数分别为1.5%和0.3%,溅...
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