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[学位论文] 作者：郑齐文,
来源：中国科学院大学 年份：2015
工作于空间辐射环境中的半导体器件会受到高能粒子、射线的辐射，从而导致器件性能退化、甚至功能失效。因此对于应用于空间辐射环境中的半导体器件来说，必需进行抗辐射能力评估......
[期刊论文] 作者：郑齐文;鲁忠义,
来源：外语教学与研究 年份：1989
泰藉华人郑齐文先生著的《认知原理》共有六章,分述感觉、知觉、思维、语言、注意、认知六个问题。此书行文流畅,立论深刻,自成体系。作者不落窠臼,大胆探索,经过历史的分析和比较,提出了一些独到的见解。 首先,《原理》自始至终贯穿了西条原则。第一条原则是,......
[会议论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,
来源：第十届全国博士生学术年会 年份：2012
本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究.实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOI器件具有明显的热载流子效应,其特有的寄生双极效应是器件显著热载流子损伤的重要原因;与前栅晶体管一样,背栅晶体管在关态应力下也表现出显著的热载流......
[期刊论文] 作者：卢健,余学峰,郑齐文,崔江维,胥佳灵,,
来源：微电子学 年份：2013
通过对ETC公司的商用256kb和1Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应关...
[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余徳昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 郭旗,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,...
[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹,
来源：电子学报 年份：2018
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比...
[会议论文] 作者：周航,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,郑齐文,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
对深亚微米PD型SOI NMOS进行了辐射环境下的热载流子效应研究.通过对照试验,定性的分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响.得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时...
[会议论文] 作者：郑齐文;余学峰;崔江维;郭旗;任迪远;周航;,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文通过分析器件功能失效与静态功耗电流上升的关系,结合加入辐射影响因素的HSPICE电路仿真,研究了不同工艺尺寸静态随机存储器(SRAM)的总剂量辐射损伤特征及机制.研究结果...
[期刊论文] 作者：马腾,郑齐文,崔江维,周航,苏丹丹,余学峰,郭旗,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
The effects of proton irradiation on the subsequent time-dependent dielectric breakdown(TDDB) of partially depleted SOI devices are experimentally investigated....
[期刊论文] 作者：周航,崔江维,郑齐文,郭旗,任迪远,余学峰,,
来源：物理学报 年份：2015
随着半导体技术的进步,集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域,使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战.进行小尺寸器件电离辐射环...
[期刊论文] 作者：余德昭,郑齐文,崔江维,周航,余学峰,郭旗,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
In this paper,total dose responses and reliability issues of MOSFETs fabricated by 65 nm CMOS technology were examined. “Radiation-induced narrow channel effec...
[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹,,
来源：电子学报 年份：2018
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[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余徳昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 郭旗,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
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[期刊论文] 作者：马腾, 崔江维, 郑齐文, 魏莹, 赵京昊, 梁晓雯, 余学,
来源：现代应用物理 年份：2017
利用10MeV 质子对130nm 部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照 吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件 TDDB可靠性的影...
[期刊论文] 作者：魏莹,崔江维,郑齐文,马腾,孙静,文林,余学峰,郭旗,
来源：现代应用物理 年份：2017
利用 TCAD 仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N 沟道 MOSFET 转移特性的影响.构建了0.18μm N 沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总 剂量（total ionizin...
[期刊论文] 作者：郑齐文,崔江维,王汉宁,周航,余徳昭,魏莹,苏丹丹,,
来源：物理学报 年份：2016
对0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）及静态随机存储器（SRAM）开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明：在相同累积剂......
[期刊论文] 作者：王保顺,崔江维,郑齐文,席善学,魏莹,雷琪琪,郭旗,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2020
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多...
[期刊论文] 作者：张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫,
来源：物理学报 年份：2013
对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的DC,AC,功能参数,分...
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,周航,,
来源：发光学报 年份：2014
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极...
[期刊论文] 作者：张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫东,,
来源：物理学报 年份：2013
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