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[会议论文] 作者：娄云云,马淑娟,郎益谦,
来源：中国质谱学会无机专业委员会、仪器专业委员会第六届年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：徐岳生,张春玲,刘彩池,唐蕾,郎益谦,郝景臣,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的质量对离子注入器件的性能有重要影响,其中位错和微缺陷是主要因素.本文采用超声AB腐蚀法,熔融KOH腐蚀法、TEM和PL Mapping技术,系统的研究了位...
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