搜索筛选:
搜索耗时2.8598秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 34 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2005
通过实例综述了目前国内集成电路失效分析技术的现状和发展方向,包括:无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术和背面失效定位技术,为进一步开展这方面...
[期刊论文] 作者：费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1995
1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米数量级并有可能继续减小。由于每芯片元件数...
[期刊论文] 作者：费庆宇,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2005
根据近年来的实践，介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法。包括：先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的......
[期刊论文] 作者：费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1998
本文叙述了反映砷化镓地导体场效应管接触退化的结构敏感参数的检测技术，并通过实例说明如何根据结构敏感参数的变化对砷化镓金属半导体场效应管进行了失效定位和失效机理分析......
[期刊论文] 作者：费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1999
开展半导体器件管芯特性异常的失效分析，需要从原子分子的观点来解释器件电特性异常的原因，笔者把深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术应用于半导体器件的失效分析，测定了不同半导体器件的ＰＮ结构和肖......
[期刊论文] 作者：费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1999
ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散，因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频Ｃ－Ｖ法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的......
[期刊论文] 作者：费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1997
用ＳｉＮｘ作印化层的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ光电二极管和Ｎ沟道ＧａＡｓ的高频特性和电性能稳定性问题与ＳｉＮｘ－半导体界面的电荷存储效应有密切关系。...
[期刊论文] 作者：费庆宇,
来源：名城绘 年份：2018
摘要：作为承压设备，压力容器在工业生产中发挥着重要的作用。压力容器通常应用在特殊的环境和工况下，如易燃、易爆和有毒的环境，在这样的环境下，一旦发生事故，就会造成巨大的经济损失，甚至危机生命安全。然而，在一定的温度和压力下以及腐蚀介质的作用下，压力容器很容易失......
[期刊论文] 作者：费庆宇,
来源：名城绘 年份：2018
摘要：压力容器的检验工作，一般都需要根据国家标准和行业标准来进行。其检查内容比较繁杂，其中包括很多项目，耗费时间也比较久。在检验的过程中，存在很多的危险源。所以要及时的辨识和准确的控制危险源，及时的发现潜在的危险，以保障检验人员的人身安全。 关键词：压力......
[会议论文] 作者：费庆宇,
来源：2003第十届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2003
本文简明地叙述了以集成电路失效分析和设计纠错为目的的样品制备技术的重要性、原理、方法和实例,包括开封、去钝化层、反应离子腐蚀(RIE)和聚焦离子束(FIB)技术....
[会议论文] 作者：费庆宇;,
来源：中国电子学会电子产品防护技术'98研讨会 年份：1998
对n沟道MOS器件的栅氧化层进行了x射线辐照试验和低电压静电放电(ESD)试验，分别在试验前后测量了样品的转移(IDs-Vg)特性和C-V特性。测量结果表明：两种试验具 有等效性。试验后...
[会议论文] 作者：费庆宇,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第五届学术年会 年份：1990
...
[会议论文] 作者：费庆宇,
来源：第二届中国国际集成电路研讨会 年份：2004
本文通过实例综述了目前国内集成电路失效分析技术的现状和发展方向，包括：无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术和背面失效定位技术，为进一步开展这方面......
[会议论文] 作者：费庆宇,
来源：中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 年份：2002
用信号寻迹法确定IC芯片的失效部位,通常要开封并通电驱动芯片.由于IC管脚多,测试向量多,驱动芯片的手续十分繁杂.对金属化层开路和短路等失效部位,用无源电压衬度象进行失效...
[会议论文] 作者：费庆宇,
来源：第九届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2001
本文综述了电子元器件的主要失效机理和失效分析技术.当元器件厂或整机厂需要委托专门机构或自行开展元器件失效分析工作时,本文具有一定的参考价值....
[期刊论文] 作者：来萍,费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1997
本文介绍了首次采用光辐射显微技术对半导体器件进行失交分析和缺陷定位的应用实例，分析过程快速、简便失效定位准确、直观，显示了光辐射显微技术在失效分析，尤其是失效一位方面......
[期刊论文] 作者：黄云,费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2001
运用双指数函数模型方法分析了影响GaAs MESFET肖特基势垒结特性的各种因素,编制了结参数提取和1-V曲线拟合软件,实现了通过栅源正向I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的6...
[期刊论文] 作者：费庆宇,黄云,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2000
高温存储试验后某种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理，测定了试验前后栅－漏极低压正向电流随温度的变化，定性估计了试验前后复合－产生中心浓度的变化，确定肖特基势......
[期刊论文] 作者：黄云,费庆宇,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2000
针对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象，设计了ＴｉＡｌ栅和ＴｉＰｔＡｕ栅ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的高温正向大电流试验，通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行......
[期刊论文] 作者：费庆宇,黄云,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2004
用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏...
相关搜索：
