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[期刊论文] 作者：李强, 蔡恩静, 高金德,,
来源：集成电路应用 年份：2018
在先进工艺节点半导体制造中,工艺和器件的变异性越来越不可忽视。在半导体制造的工艺站点,先进工艺控制（APC）已经广泛应用于减小和优化工艺和器件变异性（批次间,晶圆间,芯片内）,......
[期刊论文] 作者：魏文, 蔡恩静, 高金德,,
来源：半导体技术 年份：2004
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析。指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为...
[期刊论文] 作者：蔡恩静, 高金德, 朱巧智, 魏文, 李强,,
来源：半导体技术 年份：2004
在集成电路28 nm和14 nm等先进制造工艺开发中,采用纳米探针锁定失配器件后,依然无法通过物性分析找出失效原因,成为提升低压良率的最大瓶颈。通过对存储失效单元器件特性的...
[期刊论文] 作者：高艳清,吴平,蔡恩静,邱宏,王凤平,潘礼庆,田跃,
来源：中国有色金属学会会刊：英文版 年份：2005
Ni80 Fe20 films with thickness about 54 nm were deposited on K9 glass and thermally oxidized silicon substrates at ambient temperature by electron beam evaporat...
[期刊论文] 作者：高艳清,吴平,蔡恩静,邱宏,王凤平,潘礼庆,田跃,
来源：Transactions of Nonferrous Metals Society of China 年份：2005
Ni_(80)Fe_(20) films with thickness about 54 nm were deposited on K9 glass and thermally oxidized silicon substrates at ambient temperature by electron beam eva...
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