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[学位论文] 作者：淮永进,
来源：中国科学院微电子研究所 年份：2008
本论文首次在国内系统地研究了超低压，低压静电放电(ESD)及ESD与抗电磁干扰(EMI)兼容器件的设计与工艺，设计了国内最小的ESD塑封器件以及超低压保护器件，设计了低电容ESD及EMI保...
[期刊论文] 作者：Allis.,R,淮永进,
来源：电子 年份：1991
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[期刊论文] 作者：淮永进,韩郑生,,
来源：半导体学报 年份：2008
提出了一种可以把脉搏压力信号直接转换为电流信号输出的高精度阵列脉搏传感器.采用牺牲层法加工晶体管的栅极与CMOS工艺具有良好的兼容性.对传感器栅电容和输出电流进行测试...
[期刊论文] 作者：淮永进, 韩郑生,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8～5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出...
[期刊论文] 作者：淮永进,韩郑生,
来源：半导体学报 年份：2008
提出了一种可以把脉搏压力信号直接转换为电流信号输出的高精度阵列脉搏传感器.采用牺牲层法加工晶体管的栅极与CMOS工艺具有良好的兼容性.对传感器栅电容和输出电流进行测试...
[期刊论文] 作者：朱长纯,淮永进,
来源：西安交通大学学报 年份：2000
通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术，实现了场发射显示器真空平板封装，这种封装稳定、可靠且成本低廉，同时，配套的弹性阴极装配技术，可以方便地对不同材料的阴极......
[期刊论文] 作者：淮永进,李毓民,
来源：电子器件 年份：1994
本文比较了金属和硅两种场发射阴极的优缺点，研究了将两者优点结合在一起的金属涂敷硅阴极的制造工艺，比较了电镀法和溅射法制备的金属涂层对硅的附着力；采用先溅射后电镀的两步......
[期刊论文] 作者：淮永进,屈晓声,,
来源：微电子学 年份：2008
描述了一种使用FPGA实现FFT处理器的方法，基于按时间抽取（DIT）基-4算法，采用4组RAM并行为蝶型单元提供数据，使用交换器对数据进行重行排序。实验结果表明，该方案保证了运算正确性、......
[会议论文] 作者：淮永进,朱长纯,
来源：第五届全国场致发射学术讨论会 年份：1994
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[期刊论文] 作者：严向阳,唐晓琦,淮永进,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高...
[期刊论文] 作者：屈坤,淮永进,刘建朝,,
来源：微电子学与计算机 年份：2007
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响，并通过大量计算得到了最小特征电阻...
[期刊论文] 作者：严向阳,淮永进,孙茂友,,
来源：微电子学 年份：2009
研究了高速射频集成电路(RFIC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性。测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DCI-V特性及抗人体模型(HBM)静电放电(ESD)能力...
[期刊论文] 作者：朱长纯,淮永进,李毓民,
来源：真空科学与技术 年份：1994
详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺，制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106／cm2，硅锥曲率半径......
[期刊论文] 作者：皇甫鲁江,朱长纯,淮永进,
来源：物理学报 年份：2004
基于漂移-扩散模型和量子理论中的WKB方法,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响,结果表明,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit|E特性受硅材料...
[期刊论文] 作者：淮永进,屈晓声,韩郑生,,
来源：半导体技术 年份：2008
比较了正交频分复用(OFDM)中常用的四种调制解调工作模式,并对BPSK、QPSK、16QAM和64QAM四种调制方式的通用调制解调模块进行了优化设计,使之能根据接收端的误码率状况进行自...
[期刊论文] 作者：朱长纯,皇甫鲁江,淮永进,康海波,
来源：西安交通大学学报 年份：2000
通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同...
[期刊论文] 作者：淮永进,朱长纯,吴春瑜,李毓民,
来源：电子器件 年份：1994
本文比较了金属和硅两种场发射阴极的优缺点，研究了将两者优点结合在一起的金属涂敷硅阴极的制造工艺，比较了电镀法和溅射法制备的金属涂层对硅的附着力；采用先溅射后电镀的两步......
[期刊论文] 作者：皇甫鲁江,朱长纯,淮永进,宋利建,
来源：光电子技术 年份：1996
本文介绍我们开发的FED工艺，包括：硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码......
[期刊论文] 作者：皇甫鲁江,朱长纯,淮永进,铁执玲,单建安,郭彩林,
来源：电子学报 年份：1996
本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱的制作和平板透明真空封装。...
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