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[期刊论文] 作者：沈鸿烈,
来源：四川档案 年份：1995
农民节与农业动员沈鸿烈农民节史料一件在我国．工人、青年、妇女、儿童、军人、护士、教师都有自已的节日。占人口大多数．且贡献巨大的农民．似乎没听说过有”农民节”、其实不然......
[期刊论文] 作者：沈鸿烈,
来源：功能材料与器件学报 年份：1997
研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜中过渡层Ｃｒ、磁性金属Ｃｏ怪和非磁性金属Ｃｕ层厚度等对巨磁电阻效应的影响。...
[期刊论文] 作者：沈鸿烈,
来源：南京航空航天大学学报 年份：2005
用超高真空电子束蒸发方法在Si(100)衬底上制备了Si/Co/Cu/Co多层膜.发现当Si层厚度达到0.9 nm时,多层膜中开始出现较强的平面内各向异性巨磁电阻效应.在Si 1.5 nm/Co 5 nm/C...
[期刊论文] 作者：沈鸿烈,,
来源：档案春秋 年份：2013
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[会议论文] 作者：沈鸿烈,
来源：2014第十届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2014
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[会议论文] 作者：沈鸿烈,
来源：第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2013
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[会议论文] 作者：沈鸿烈,
来源：第十八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会（18th CSPV）论文集 年份：2022
＜正＞江西汉可泛半导体技术有限公司——介绍江西汉可泛半导体技术有限公司由黄海宾博士/教授携团队于2021年初成立,现位于江西省九江共青城市国家高新技术开发区。公司现有场地8000余平方,高学历及高技能人才60多名,其中博硕士7名。公司通过了ISO9001质量管理体系......
[期刊论文] 作者：王威,沈鸿烈,,
来源：半导体技术 年份：2012
近年来化合物薄膜太阳电池得到迅猛的发展。SnS光电薄膜的禁带宽度与太阳光谱非常匹配,并且具有较高的吸收系数,所以它是一种理想的太阳电池材料。制备SnS光电薄膜的方法有电...
[会议论文] 作者：陈洁仪,沈鸿烈,
来源：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会 年份：2017
本文采用电子束蒸发法在钠钙玻璃衬底上制备铜铟镓硒薄膜,研究了衬底温度对铜铟镓硒薄膜的结构与光电性能的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,铜铟镓硒薄膜中出现MoSe2相和Cu2_xSe相,当衬底温度为300℃时,制备的铜铟镓硒薄膜获得最好的结晶质量,制作的铜铟镓硒......
[期刊论文] 作者：李铁,沈鸿烈,
来源：电子显微学报 年份：1999
本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ｎｉ过层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究，并结合Ｘ射线衍射的结果，发现Ｎｉ过渡层可以使Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治的界面平整，并形成强的（１１１）织构，从而......
[期刊论文] 作者：江丰, 沈鸿烈,,
来源：半导体光电 年份：2004
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜材料成本低廉且无毒,其电学性能主要由自身所含的缺陷决定,一般呈p型导电性。CZTS的禁带宽度为1.5eV左右,在可见光范围内的光学吸收系数一般都大于104 cm...
[期刊论文] 作者：沈鸿烈, 蒋晔,,
来源：南京航空航天大学学报 年份：2017
采用酸体系的纳米重构(Nano structure rebuilding,NSR)溶液对黑硅纳米结构进行重构,得到不同尺寸的倒金字塔减反射微结构,实现了低成本纳米减反射微结构多晶黑硅(Multicryst...
[期刊论文] 作者：沈鸿烈,李铁,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜，研究了衬底晶向、过渡工层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响；结合原子力显微镜表面形貌观察，探讨了三......
[期刊论文] 作者：李铁,沈鸿烈,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
本文通过研究不同方向外加磁场下ＮｉＯ７０ｎｍ／Ｃｏ５．５ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．５ｎｍ自旋阀结构中磁电阻的变化，探讨了ｉＯ反铁磁层对相邻的Ｃｏ层的钉扎作用。研究发现，材料中的钉扎方向是唯一确定的，只有沿着钉扎方向增大外场，才能获得高......
[期刊论文] 作者：李铁,沈鸿烈,
来源：自然科学进展：国家重点实验室通讯 年份：1999
研究了具有不同厚度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治膜的巨磁电阻效应，发现Ｎｉ过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜的磁电阻值在３．５％和５．６％之间，相应的矫顽力在０．９５ｋＡ／ｍ附近。因此，材料的灵......
[期刊论文] 作者：邱玥,沈鸿烈,,
来源：安徽工业大学学报(自然科学版) 年份：2011
采用机械合金化法成功制备β-FeSi2热电材料。用X射线衍射法分析球磨机转速、球磨时间、退火工艺对混合粉末合金化进程的影响,采用热电性能检测装置研究测试样品的热电性能。...
[期刊论文] 作者：关安民,沈鸿烈,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1997
本文对３０ｋｅｖ Ｓｉ＾＋和分子离子ＳｉＦ＾＋注入半绝缘ＧａＡｓ的行为进行了研究对比。注入Ｓｉ＾２＋样品的Ｓｉ原子纵向分布与相同条件下用ＳＩＣＴ模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光９００℃１０″ＲＴＡ，电激活率可达６０％，电化学Ｃ－Ｖ测得的载流子纵......
[期刊论文] 作者：邱玥,沈鸿烈,,
来源：安徽工业大学学报(自然科学版) 年份：2010
采用机械合金化法-后续热处理法成功制备Co掺杂β-FeSi2热电材料。用x射线衍射法分析球磨机转速和烧结工艺对混合粉末合金化进程的影响，测试样品的电学性能。结果表明：球磨时间...
[会议论文] 作者：蒋晔,沈鸿烈,
来源：2014第十届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2014
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[会议论文] 作者：沈鸿烈,李铁,
来源：中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议 年份：1998
该文报导电子束蒸发法制备的几种三明治中的巨磁电阻效应，研究厂不同过渡层对三明治中巨磁电阻效应的影响以及改变磁牲层引起的效果。...
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