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[学位论文] 作者：汤兰凤,,
来源：南京大学 年份：2016
如今,在电子器件大范围应用领域,电子透明显示是学术界讨论最为广泛的话题之一,其关键组成部分是宽禁带半导体材料。在过去的几年里,基于薄膜晶体管(TFT)技术生产的电子显示...
[期刊论文] 作者：汤兰凤,
来源：建筑遗产 年份：2013
摘要：生态环境是大自然的鬼斧神工的杰作，而室内建筑则是人类自己开辟的一番独具匠心的天地。几千年前，人类并未意识到我们需要将二者进行一次完美的结合，但是当今的形势让这种结合成为必然。当今的社会到处充斥着压力、威胁，而我们居住的场所成了一种无形的归属，即使......
[学位论文] 作者：汤兰凤,
来源：东北财经大学 年份：2023
随着中国经济由高速增长阶段转向高质量发展阶段,能源利用效率提升成为新发展阶段实现节能降耗和绿色发展亟待攻克的重大问题之一,而这一问题的突破点在于如何提升城市能源利用效率。当前约三分之二的能源消耗集中在城市,能源作为保证城市正常运转的要素,其能源......
Electrical Instability of Amorphous-Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors under Ultraviole
[期刊论文] 作者：汤兰凤,陆海,任芳芳,周东,张荣,郑有炓,黄晓明,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
The electrical instability behaviors of amorphous-indium-gallium-zinc-oxide(a-IGZO) thin-film transistors(TFTs)under ultraviolet(UV) illumination are studied.As...
Influence of white light illumination on the performance of a-IGZO thin film transistor under positi
[期刊论文] 作者：汤兰凤,于广,陆海,武辰飞,钱慧敏,周东,张荣,郑有炓,黄晓明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
The influence of white light illumination on the stability of an amorphous In GaZnO thin film transistor is investigated in this work. Under prolonged positive...
[会议论文] 作者：汤兰凤,于广,陆海,武辰飞,钱慧敏,周东,张荣,郑有炓,黄晓明,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
非晶InGaZnO薄膜晶体管因具有高迁移率、低温制备过程、低的漏电流和较高的光学透过率等优异特性,a-IGZO TFT被视为下一代有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和有机发光二极管显示器(OLED)背板技术的核心.尽管如此,可靠性仍然是的a-IGZO TFT技术的一个关键问题.偏压应力......
[会议论文] 作者：钱慧敏,于广,陆海,武辰飞,汤兰凤,周东,张荣,郑有炓,黄晓明,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
近年来,非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)因其高迁移率、高光学透过率、低制备温度和低成本等优点,吸引了学术界及工业界广泛关注,在未来大尺寸平板显示技术发展中具有很大潜能.尽管a-IGZOTFT表现出了较好的器件性能,但是其在栅极偏压下的电学稳定性仍然是实......
[会议论文] 作者：汤兰凤[1]于广[1]陆海[1]武辰飞[1]钱慧敏[1]周东[1]张荣[1]郑有炓[1]黄晓明[2],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
非晶InGaZnO薄膜晶体管因具有高迁移率、低温制备过程、低的漏电流和较高的光学透过率等优异特性,a-IGZO TFT被视为下一代有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和有机发光二极管显示器(...
[会议论文] 作者：钱慧敏[1]于广[1]陆海[1]武辰飞[1]汤兰凤[1]周东[1]张荣[1]郑有炓[1]黄晓明[2],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
近年来,非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)因其高迁移率、高光学透过率、低制备温度和低成本等优点,吸引了学术界及工业界广泛关注,在未来大尺寸平板显示技术发展中具有很...
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