【摘 要】
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近年来,非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)因其高迁移率、高光学透过率、低制备温度和低成本等优点,吸引了学术界及工业界广泛关注,在未来大尺寸平板显示技术发展中具有很大潜能.尽管a-IGZOTFT表现出了较好的器件性能,但是其在栅极偏压下的电学稳定性仍然是实际应用中需要解决的关键问题之一.a-IGZO TFT有源层与栅介质层之间存在着高密度的界面态,会影响器件在栅极正偏压下的电学稳定
【机 构】
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江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学电子科学与工程学院,南京 210093 Peter Gr
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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近年来,非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)因其高迁移率、高光学透过率、低制备温度和低成本等优点,吸引了学术界及工业界广泛关注,在未来大尺寸平板显示技术发展中具有很大潜能.尽管a-IGZOTFT表现出了较好的器件性能,但是其在栅极偏压下的电学稳定性仍然是实际应用中需要解决的关键问题之一.a-IGZO TFT有源层与栅介质层之间存在着高密度的界面态,会影响器件在栅极正偏压下的电学稳定性,为此,研究了变温条件下非晶铟镓锌氧薄膜晶体管在施加正栅极偏压(PBS)过程和除去栅极偏压之后的恢复过程这两个过程中,晶体管阈值电压随时间的变化关系.实验中获得的阈值电压随时间的变化关系可以很好地通过拉伸指数函数描述.
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