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[期刊论文] 作者：梁家昌,
来源：物理实验 年份：2004
我在北大物研室(546信箱)跟先生学习时，曾希望向先生学习核磁共振，先生因在核磁共振研究中发现了化学位移效应而享誉世界。先生在给我讲授知识的同时，告诫我要按国家需要来挑选......
[期刊论文] 作者：梁家昌,,
来源：深圳中西医结合杂志 年份：2014
目的:对急诊内科急性腹痛患者的诊治进行分析,为临床诊治急性腹痛提供参考。方法:选取我院急诊内科2011年1月-2012年12间收治的100例性腹痛患者,按照治疗方法的不同分为观察...
[期刊论文] 作者：梁家昌,
来源：科学与信息化 年份：2019
为了有效节约能源,合理的控制加热炉燃料的有效燃烧,必须加强加热炉的热工自动化控制水平。热工自动化控制将计算机引入其中,能够有效提高控制的精确度,灵活操作,并实现加热...
[学位论文] 作者：梁家昌,,
来源：云南师范大学 年份：2004
云南位于中国西南部,青藏高原东南缘,受南亚季风、东亚季风和青藏高原季风的综合影响。干旱和洪涝灾害是云南地区的主要气象灾害,严重制约云南社会经济的发展。文章利用云南...
[期刊论文] 作者：梁家昌,
来源：按摩与康复医学 年份：2014
我国老龄化趋势日益明显，老年患者机体各项功能衰退，常患内科疾病，笔者基于多年工作经验分析内科老年患者的不安全因素，并提出相应的防范对策。...
[期刊论文] 作者：梁家昌,
来源：中国民航学院学报(综合版) 年份：1994
通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ方法、生长在ＧａＡｓ衬底上的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ（ＧａＩｎＰ２）外延薄膜的１．１７ｅＶ发射带的发光特性。１．１７ｅＶ发光带性质与０．９９ｅＶ及０．８５ｅＶ发光带的性质有着明显的差别。１．１７ｅＶ发光带的机理可用施主－受主对......
[期刊论文] 作者：梁家昌,
来源：中国民航学院学报 年份：1997
在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与ＧａＡｓ／Ｓｉ的......
[期刊论文] 作者：梁家昌,
来源：中国民航学院学报 年份：1993
用自制的具有极高分辨率的微机控制的三晶体x-射线衍射仪测量了用MOCVD方法生长的Ga_(0.52)In(0.48)P外延薄膜的超结构。我们发现,在Ga_(0.52)In(0.48)P外延薄膜内由In平面和...
[期刊论文] 作者：梁家昌,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：1994
通过用一高分辨、微机控制的三晶体ｘ－射线衍射仪来测量Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ外延膜中（１１）与（）衍射峰的积分强度差，定量地确定了有序度。讨论Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ外延膜中有序度与成份调制间的关系。考察了成份调制与施主－受主对......
[期刊论文] 作者：李兴,梁家昌,
来源：天津师大学报：自然科学版 年份：2000
用一种深掺杂硅材料制成的微型流量传感器来测量呼吸气流的测量，并用信号处理电路对微型流量传感的输出进行鉴别，就可以监视呼吸系统状态的微小变化。传感器偏置电压的变化对系......
[期刊论文] 作者：赵家龙,梁家昌,
来源：半导体学报 年份：1996
利用变温和变激发匠近红外光致发光、研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源。根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热......
[期刊论文] 作者：赵家龙,梁家昌,
来源：半导体学报：英文版 年份：1995
本文测量了用金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬度上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得......
[期刊论文] 作者：李明,梁家昌,等,
来源：中国民航学院学报 年份：2001
在室温下分别用核磁共振氢谱法及康氏法测量了HH－20与HP－8以任何体积比混合的航空润滑油的残炭。实验结果表明：为了确定航空润滑油的残炭，特别是其相对残炭，测量其核磁共振氢谱的......
[期刊论文] 作者：徐舟,梁家昌,
来源：中国民航学院学报 年份：1999
由于在ＧａＡｓ和Ｓｉ单晶材料是有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在Ｓｉ上生长的ＧａＡｓ异质外延薄膜（ＧａＡｓ／Ｓｉ）中会存在着界面失配形变与高密度的结构缺陷。我们的实验显示，ＧａＡｓ／Ｓｉ外延膜的无序与其生长条......
[期刊论文] 作者：李兴,梁家昌,
来源：南开大学学报：自然科学版 年份：2000
使用深掺杂方法在Ｓｉ材料中掺入金原子后，其电阻随温度Ｔ的变化关系由主要依赖于Ｔ＾－３／２项的浅掺杂材料变成主要依赖于ｅｘｐ（－Ｅ／ＫＴ）项的深掺杂材料，从而大幅度地提高了掺金Ｓｉ材料对温度的敏感性。在理论上......
[期刊论文] 作者：徐舟,梁家昌,
来源：中国民航学院学报 年份：1999
由于在GaAs和Si单晶材料间有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在St上生长的GaAs异质外延薄膜（GaAs／Si）中会存在着界面失配形变与高密度的结构缺陷。我们的实验显示，GaAs......
[期刊论文] 作者：赵家龙,梁家昌,
来源：光学学报 年份：1995
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局......
[期刊论文] 作者：梁家昌, 沈才明,,
来源：黑龙江农业科学 年份：2016
基于云南36站逐日降水资料，运用趋势分析和M ann‐Kendall气候突变检验等方法，研究了近50年云南5月降水及其降水特性的长期趋势和年代际特征。结果表明：5月降水量出现大范围不显...
[期刊论文] 作者：乐小云,梁家昌,
来源：发光学报 年份：1999
各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜。很多文献认为，在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染。...
[期刊论文] 作者：王永慧,梁家昌,
来源：中国民航学院学报 年份：1998
用康氏法测定了在室温下航空润滑油ＨＨ－２０与ＨＰ－８的任意体积比的混合航空润滑油的残炭值。因此，通过混合航空润滑体比的测量就可直接读出该油品的准确的残炭值。...
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