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[期刊论文] 作者：彭浩,林兆军,
来源：武汉大学学报：自然科学版 年份：2000
采用离子交换方法，在Ｙ型沸石筛中首次组装了质量比分别为５％和１５％的ＣｄＳｅ纳米团簇，样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实，该制备过程是成功可行的，并得到了分布均匀，尺寸比较单一的团......
[期刊论文] 作者：许燕,林兆军,
来源：半导体学报 年份：1998
在沸石分子筛中组装ＣｄＳｅ而形成半导体纳米团簇材料，并将组装ＣｄＳｅ后的沸石微粉制成完整的透射电镜薄膜，结合谱测试，在透射电镜下观察所得的材料的微观结构和形貌。结果表明在沸石中形成了......
[期刊论文] 作者：林兆军,张太平,
来源：半导体学报 年份：2000
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga N材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响...
[期刊论文] 作者：林兆军,薄仕群,
来源：半导体学报 年份：1997
低温下ｈＦＥ主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子Ｍ．影响γ的是禁带收缩和基区费米能级。Ｍ则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应，以上观点与实......
[期刊论文] 作者：薄仕群,林兆军,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：1994
热载流子效应产生的原因，首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子，然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化......
[会议论文] 作者：栾崇彪,林兆军,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中载流子散射机制主要包括极性光学声子散射、界面粗糙散射和极化库仑场散射[1].源、漏欧姆接触金属原子横向扩散和栅偏压将引起AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管势垒层应变的变化,使势垒层极化电荷分布不均匀,进而引起极化库仑场散射......
[期刊论文] 作者：林兆军,赵建芝,张敏,
来源：半导体学报 年份：2007
利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与...
[期刊论文] 作者：姚军,陈杰,林兆军,
来源：计算机工程与设计 年份：2005
移位类指令对于实现FIR、IIR等数字信号处理算法非常重要,为了快速的实现此类算法,介绍了一款16位嵌入式定点DSP芯片中核内移位器单元的设计.电路由一个移位阵列和指数提取单...
[会议论文] 作者：林兆军,赵建芝,张敏,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲...
[期刊论文] 作者：林兆军，赵建芝，张敏，LinZhaojun，ZhaoJianzhi，ZhangMin,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：陈伟,林兆军,王占国,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1996
Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｏｆ ＺｎＳ Ｃｌｕｓｔｅｒｓ ｉｎ Ｚｅｏｌｉｔｅ－ＹＦｏｒｍａｔｉｏｎＯｆＺｎＳＣｌｕｓｔｅｒｓｉｎＺｅｏｌｉｔｅ－Ｙ￥ＣｈｅｎＷｅｉ；ＬｉｎＺｈａｏｉｎｎ；ＷａｎｇＺｈａｎｇｕｏａｎｄＬｉｎＬａｎｙｉｎｇ（Ｌａｂｏｒａｔｏｒ...Formation Of ZnS Clusters in Zeolite-YFormation Of ZnSelusters In Zeolite-Y ¥ ChenWei; LinZhaoinn; WangZhanguo andLinLanying......
[会议论文] 作者：杨铭,林兆军,冯志红,吕元杰,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：崔鹏,林兆军,冯志红,吕元杰,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：林兆军,王占国,李国华,陈伟,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1996
本文用扩散的方法，在ＨＺＳＭ－５和Ｙ沸石中制备了具有不同Ｓｅ组分的Ｓｅ链样品，并对样品进行了吸收和喇曼光谱测试。结果表明，制备的样品均为非晶Ｓｅ链结构，随制备条件的不同，非晶Ｓｅ链的混乱度有所不同。......
[期刊论文] 作者：彭浩,马莉,林兆军,刘舒曼,王少阶,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：2000
采用离子交换方法 ,在 Y型沸石分子筛中首次组装了质量比分别为 5 %和 15 %的 Cd Se纳米团簇 ;样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实 ,该制备过程是成功可行的 ,并...
[期刊论文] 作者：崔鹏,林兆军,付晨,刘艳,吕元杰,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors(HFETs) with different floating gate lengths and floating gates annealed at different temperatures, are fabric...
[期刊论文] 作者：肖洪地,马洪磊,刘蓉,马瑾,林兆军,
来源：第六届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2007
采用磁控溅射法在Si(111)衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱(XRD)、X光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明：(1)在900℃氮气气氛中退火,非晶态GaN保持不变；(2)在900℃氨气气氛中退火,虽然非晶态GaN转化......
[会议论文] 作者：肖洪地,马洪磊,马瑾,林兆军,刘蓉,
来源：第六届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2007
采用磁控溅射法在Si(111)衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱(XRD)、X光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明：(1)...
[会议论文] 作者：赵建芝,林兆军,吕元杰,张宇,王占国,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在应力Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构材料上制备了Ni肖特基接触。利用测得的电容-电压曲线和光电流谱,通过自治求解薛定谔方程和泊松方程,分析计算了AlGaN势垒层的相对介电常数。...
[期刊论文] 作者：许燕,林兆军,陈伟,白元强,方克明,
来源：半导体学报 年份：1998
在沸石分子筛中组装ＣｄＳｅ而形成半导体纳米团簇材料，并将组装ＣｄＳｅ后的沸石微粉制成完整的透射电镜薄膜，结合能谱测试，在透射电镜下观察所制得的材料的微观结构和形貌．结果表明在沸石中形成......
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