【摘 要】
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本文利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院,济南市,250010
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一切实可行的方法。
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