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[期刊论文] 作者：李秉臣,,
来源：湖南地质 年份：1989
零陵县易家桥煤矿区,有公路直达,湘桂铁路沿矿区南部通过,交通甚为方便。1951年徐道书曾到该区进行过踏勘,对粘土层采集少量测试样品,评价为耐火粘土。矿区为一北西向向...
[期刊论文] 作者：李秉臣,
来源：中国设备管理 年份：1993
为了有利于资产管理,增强企业后劲,使企业固定资产符合现行价值,我们对试点企业现有的固定资产价值进行了评估,做法如下。 根据国家国有资产管理局的文件规定,设备重估...
[期刊论文] 作者：李秉臣,李建中,
来源：真空科学与技术 年份：1987
应用射频溅射法制备SnO_2膜。对SnO_2膜进行了AES、ESCA理化学分析,结果表明:SnO_2膜的成分完全由SnO_2所组成,膜中并没有分离的Sn的成分。同时也对SnO_2膜进行了气敏特性测...
[期刊论文] 作者：李秉臣,吴明,,
来源：天津金融月刊 年份：1986
我商店是经营毛毡、皮货的国营专业商店,所经营的商品由于季节性较强,具有储备期长、销售期短的特点。在每年的储备期中,都要由银行贷款40～50万元。1985年由于国家银根紧...
[期刊论文] 作者：李秉臣,王玉田,
来源：半导体学报 年份：1998
本文利用Ｘ射线衍射和ＡＥＳ（俄歇）方法，深入地研究了ＲＦ磁控溅射沉积的Ｐｔ－Ｎｉ／ｐ－ＩｎＰ（１００）非合金膜系在热退火过程中Ｐｔ和Ｎｉ与衬底ＩｎＰ中的Ｉｎ和Ｐ形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低到３×１０＾－６Ω·ｃｍ＾２的根本原因。......
[期刊论文] 作者：李秉臣,彭晔,
来源：半导体学报 年份：1999
用电子束反应蒸发法制备了的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系，解决了ａ－Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题，吸收系数从２×１０＾３ｃｍ＾－１降低到可以忽略的程度，ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的光学带隙为１．７４ｅＶ左右，应用到８０８ｎｍ大功率量子阱激光器腔面底膜......
[期刊论文] 作者：李秉臣,彭晔,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
对２．５Ｇ ＤＦＢ量子阱激光器ｐ型低阴欧姆接触电极进行了研究，在退火温度４００℃，退火时间３０ｓ进行快速热退火条件下，对Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ／ＩｎＡｓ／ｐ＾＋－ＩｎＧａＡｓ（掺Ｚｎ〉１×１０＾１９ｃｍ＾－３）／ＭＱＷ／ｎ－ＩｎＰ和Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ／ｐ＾＋－ＩｎＧａＡｓ（掺Ｚｎ〉１×１０＾１９ｃｍ＾－３）／ＭＱＷ／ｎ－ＩｎＰ两种结构进行了ｐ型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行......
[会议论文] 作者：李秉臣,白云霞,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：李秉臣,彭晔,李建中,
来源：科学通报 年份：1998
用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au_Pt_Ni/ p_InP( 1～ 2× 1 0 18cm-3 ) ,在 40 0℃ 30s的退火条件下 ,实现了比接触电阻低达 3× 1 0 -6Ω·cm2 的欧姆接触 .对不同温度 ( 30 0...
[期刊论文] 作者：李秉臣,彭晔,朱洪亮,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对AuPtTiInAsp＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP和AuP...
[期刊论文] 作者：李秉臣,彭晔,廖显伯,
来源：半导体学报 年份：1999
用电子束反应蒸发法制备的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜和 Ａｌ２ Ｏ３ 膜组成的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系，解决了 ａ Ｓｉ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系在 ８０８ｎｍ 波长有较强光吸收问题，吸收系数从 ２×１０３ｃｍ － １ 降低到可以忽略的程度．ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜的光学带隙为......
[期刊论文] 作者：李秉臣,毕可奎,李建中,楼章和,李国花,,
来源：化学传感器 年份：1987
所研制的平面型SnO_2微型传感器是用射频溅射制备超微粒SnO_2膜,和常规的硅平面工艺制作加热器和温度检测器,二者相容集成而制作的气敏器件。用AES、ESCA对SnO_2膜进行了分...
[期刊论文] 作者：王清茂,王大成,苏炳炘,李秉臣,
来源：中国地质 年份：1983
在南岭地区铅锌成矿区区划汇总工作中,对矿床的成因和成矿模式进行了一些研究.由于资料所限本文只探讨湖南省层控型铅锌矿床的成因及成矿模式.文中引用的实际资料,主要是近几...
[期刊论文] 作者：李冰,郭霞,刘莹,李秉臣,王东凤,沈光地,
来源：半导体技术 年份：2005
研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙...
[期刊论文] 作者：徐遵图,徐俊英,杨国文,张敬明,李秉臣,陈良惠,沈光地,
来源：中国激光 年份：1998
对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变......
[期刊论文] 作者：肖建伟,杨国文,徐俊英,徐遵图,张敬明,庄芳婕,李秉臣,毕可奎,郑婉华,陈良惠,
来源：高技术通讯 年份：1994
在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性......
[期刊论文] 作者：孙元平,付羿,渠波,王玉田,冯志宏,赵德刚,郑新和,段俐宏,李秉臣,张书明,杨辉,姜晓明,郑文莉,贾全杰,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2002
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外...
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