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[期刊论文] 作者：李静, 李志栓, 吴孙桃,
来源：功能材料 年份：2005
研究了用磁控溅射系统来制备氧化钒薄膜,通过优化工艺条件制备出可用作锂离子微电池阴极膜的非晶态五氧化二钒(α-V2O5)薄膜.并使用X射线衍射(XRD)与X射线光电子谱(XPS)来表...
[期刊论文] 作者：李志栓,吴孙桃,李静,郭东辉,
来源：功能材料 年份：2005
采用射频磁控溅射的方法,在不同条件下制备了氧化钒薄膜样品,分别在不同温度条件下做了退火处理,并对退火前后样品做了X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚...
[期刊论文] 作者：李志栓,吴孙桃,李静,郭东辉,
来源：电源技术 年份：2004
微电子机械系统(MEMS)和超大规模集成电路(VLSI)技术的发展对能源的微型化、集成化提出了越来越高的要求.全固态薄膜锂电池因其良好的集成兼容性和电化学性能成为MEMS和VLSI...
[期刊论文] 作者：於广军,闻永祥,方佼,李志栓,,
来源：中国集成电路 年份：2015
本文研究了高频（13．56MHz）和低频（380KHz）深槽刻蚀机，对SOI硅片深槽刻蚀横向切口（notching）效应的影响。结果表明：过刻蚀量（0E）在20％时，高频设备发生notching现象，但是随着槽尺寸的增大，notc......
[期刊论文] 作者：李志栓,李静,吴孙桃,郭东辉,徐富春,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2005
利用射频磁控溅射的方法,在不同的衬底温度和溅射功率下制备了氧化钒薄膜样品,并在纯氩气环境下作了退火处理,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微...
[期刊论文] 作者：李志栓,汤光洪,於广军,杨新刚,杨富宝,,
来源：半导体技术 年份：2016
深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显...
[期刊论文] 作者：汤光洪, 高周妙, 罗燕飞, 李志栓, 周燕春,
来源：半导体技术 年份：2018
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[期刊论文] 作者：於广军,杨彦涛,闻永祥,李志栓,方佼,马志坚,,
来源：半导体技术 年份：2016
介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF...
[期刊论文] 作者：周浩, 罗燕飞, 高周妙, 闻永祥, 李志栓, 方佼, 季锋,
来源：中国集成电路 年份：2018
本文研究了博世（Bosch）工艺的工艺参数及清洗工艺对刻蚀结果的影响。通过调节工艺参数（包括SF6气体的流量、工艺气压、上电极（Source）功率、下电极偏压（bias）功率、C4F8钝化切换时间......
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