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[期刊论文] 作者：李向阳,方家熊,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
从理论上考虑了碲镉汞长波光电二极管的主要电流机制,并采用合适的参数对R0A进行了计算.结果表明,由于隧道电流的限制,对于一定的衬底浓度,选择p区掺杂的浓度不宜过大,反之亦...
[期刊论文] 作者：张燕,方家熊,,
来源：红外与激光工程 年份：2008
通过对甚长波碲镉汞器件的信号、噪声、有效寿命等的测试分析,研究背景辐射对甚长波器件性能的影响。利用冷光阑和黑体照射改变器件接收的背景辐射,设计并搭建了变背景有效寿...
[期刊论文] 作者：张燕,方家熊,
来源：红外 年份：2001
碲镉汞可以制成光伏型器件和光导型器件.光导器件结构较简单,易于制造,但功耗大,响应速度较慢,为第一代红外探测器件.目前,我所实用的长波光子探测器就是光导型的.光伏器件较...
[期刊论文] 作者：李向阳,方家熊,
来源：红外技术 年份：1997
获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率 载子浓度与温度的关系，可以得到关于深能级的重要依据。...
[期刊论文] 作者：张燕,方家熊,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大。针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型。分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪......
[期刊论文] 作者：张燕,方家熊,,
来源：光学学报 年份：2008
研究了不同响应波长的HgCdTe器件在不同背景辐射条件下的噪声变化。随着背景辐射的增加,甚长波器件的噪声减小,而中波器件相反。噪声频谱测量表明,产生-复合噪声分量和1/f噪...
[期刊论文] 作者：姚欣,方家熊,
来源：红外研究 年份：1989
测量了~(24)Mg~+离子注入型InSb PV探测器的光谱响应,发现经高剂量(Q≥1×10~(13)cm~(-2))注入的探测器的光谱响应曲线中短波区响应率明显提高,2μm处的相对响应率达到75...
[期刊论文] 作者：王子孟,方家熊,
来源：上海半导体 年份：1990
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[期刊论文] 作者：张燕,李向阳,方家熊,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
利用脉冲YAG激光器对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化。实验表明 ,激光能量密度越大 ,激光退火的效果越...
[期刊论文] 作者：许中华,方家熊,,
来源：光学学报 年份：2012
器件的调制传递函数（MTF）表征了光电成像器件对空间频率的对比度传递特性，可以全面地评价其成像性能。随着器件的发展，用MTF来评价器件越来越受到重视。针对近红外InGaAs焦平面器......
[期刊论文] 作者：许中华,方家熊,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2011
串音使得焦平面输出信号的对比度降低,进而影响系统的调制传递函数（MTF）。随着器件的发展,用MTF来评价器件越来越受到重视;从民用领域的趋势看,MTF将逐步取代传统的串音、极限...
[期刊论文] 作者：周咏东,方家熊,
来源：红外与毫米波学报 年份：2000
利用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术实现了ＣｄＴｅ薄膜的低温生长，利用电化学方法进行了ＨｇＣｄＴｅ表面自身阳极氧化膜的生长，利用生工的ＣｄＴｅ介质膜和ＨｇＣｄＴｅ表在身阳极氧化膜对ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件进行了表面钝化。对两种器件的电阻、......
[期刊论文] 作者：胡晓宁,方家熊,
来源：红外与毫米波学报 年份：1996
根据Ｍ．Ａ．Ｋｉｎｃｈ提出了的叠层结构，从解一维连续性方程出发，对有叠层和无叠层器件光生载流子浓度空间分布进行了计算和分析，结果表明，叠层结构相当提供一个少数载流子存储区，可有效抑制扫出效......
[期刊论文] 作者：黄建新,方家熊,
来源：红外研究 年份：1989
——详细计算并讨论了背景辐射对0.1eVHgCdTe(77K)光电导探测器性能的影响以及接近或达到背景辐射限的条件.在计算中,除考虑到辐射在探器中的多次反射外,还考虑了探测器的表...
[期刊论文] 作者：周咏东,方家熊,
来源：无机材料学报 年份：2000
用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面实现了ＺｎＳ的低温沉积，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对上述ＺｎＳ薄膜能主热蒸发ＺｎＳ薄膜中的Ｚｎ、Ｓ元素的化学环境进行了对比实验研究，实验表明：离子束溅射沉积ＺｎＳ薄膜具有很好的组份均匀......
[期刊论文] 作者：龚海梅,方家熊,
来源：红外与激光技术 年份：1993
通过对少数载流子—维连续性方程的求解,实现对少数载流于光电导衰退过程的模拟,并通过对光电导衰退曲线的级数拟合,同时获得了HgCdTe光导器件中体寿命和表面复合速度。对于...
[期刊论文] 作者：周咏东,方家熊,
来源：红外技术 年份：2000
利用成熟的ＨｇＣｄＴｅ器件生产工艺制备了ＨｇＣｄＴｅＨａｌｌ器件，利用Ａｒ束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅＨａｌｌ器件表面实现了ＺｎＳ介质薄膜的代温生长；用低浊变磁场Ｈｌｌ测量技术对ＺｎＳ薄膜覆盖前后的Ｈａｌｌ器件输运特性进行了研究，分析了ＺｎＳ薄膜的沉积生......
[期刊论文] 作者：李言谨,方家熊,
来源：半导体学报 年份：1999
根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移率的新方法。实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度。...
[期刊论文] 作者：裴慧元,方家熊,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
利用低温Ｒａｍａｎ散射光谱分析，比较了４种典型处理的Ｃｄ０．９６Ｚｎ０．０４Ｔｅ表面声子散射信号和表面元素沉积的变化。对－２２０－－９０ｃｍ＾－１的反斯托克斯分量进行分析得出，ＢＭ液腐蚀后的表面晶格完整性最好；ＬＢ液处理有利于进一步改善表面......
[期刊论文] 作者：徐国森,方家熊,
来源：红外与激光技术 年份：1993
本文报道了长波180元碲镉汞线列光导探测器的初步研制结果,较为详细地介绍了各步探测器制造工艺以及探测器性能的测试结果。最终得到的拼接和单片180元线列器件,其平均峰值探...
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