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[期刊论文] 作者：张博,文进才,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2022
基于65 nm CMOS工艺,设计了一款工作频率为33～48 GHz的毫米波宽带低噪声放大器.采用两级共源共栅(cascode)结构,使用噪声减小技术优化了噪声系数,并运用错峰匹配网络提高了低噪声放大器的增益平坦度并扩展带宽.测试实验表明,该款低噪声放大器的1dB带宽为35～45 GHz......
[期刊论文] 作者：文进才,孙玲玲,,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2005
对重掺杂的硅衬底来说,衬底涡流效应已变得较为明显,如何精确的表征这一方面的影响,对于在标准CMOS工艺上实现的在片螺旋电感建模来说,已显得至关重要.该文给出了一种新的采...
[会议论文] 作者：文进才;孙玲玲;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可用于1.95GHz无线通信应用的功率放大器设计。电路采用有源电流镜电路来提供电压偏置,同时采用反向偏置的二极管来稳定功率HBT管的偏置电压...
[会议论文] 作者：文进才,孙玲玲,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可应用于宽带码分多址(W-CDMA)3G无线通信标准的功率放大器设计.偏置电路采用电容线性化技术,极大的提高了功率放大器的线性.后仿真显示,输入频率在1.95GHz处,功率增益为26.4 dB,P1dB为30.6 dBm,饱和输出功率为32 dBm.输出功率P......
[期刊论文] 作者：孟伟良, 文进才,
来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版) 年份：2023
运用变压器反馈技术，基于65 nm CMOS工艺设计了一款紧凑型宽带低噪声放大器。电路采用两级共源共栅结构，基于变压器的输入匹配网络实现了宽带输入匹配，漏源正反馈提高了电路的增益，漏源负反馈增强了其稳定性，电路总面积仅为0.156 mm~2。仿真结果表明，设计的宽带低噪声......
[期刊论文] 作者：王岗,孙玲玲,文进才,
来源：杭州电子科技大学第六届研究生IT创新学术论坛 年份：2013
本文探讨了60GHz功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0.07 μ m GaAs工艺的60GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1.2V,工作电流为27mA,在62.2GHz时有最大小信号增益4.9dB,60GHz时仿真的输出1dB压缩点功率为12dBm.......
[期刊论文] 作者：付超,孙玲玲,文进才,,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2006
该文给出了一个适用于CMDA2000系统的射频功率放大器单片集成电路的实现。放大器采用了具有高线性度、高增益和高效率的砷化镓异质结双极型晶体管，包括驱动级和功率级两级。为...
[期刊论文] 作者：张倩,孙玲玲,文进才,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2013
利用砷化镓场效应管器件的非线性特性设计了一个单端毫米波段二倍频器，输入频率为27次谐波抑制大于25 dB。芯片总面积（含pad）为1．068 mm ＆#215;0．495 mm。...
[期刊论文] 作者：刘军,孙玲玲,文进才,,
来源：半导体学报 年份：2007
提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精...
[期刊论文] 作者：孙玲玲 刘军 文进才,
来源：科技资讯 年份：2016
摘 要：毫米波亚毫米波频段无线通信具有频谱资源宽、传输定向性好、免许可等特点，而硅基纳米尺度技术为毫米波亚毫米波集成电路提供了良好的工艺平台，因此，硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统成为无线通信领域的研究热点。该报告针对硅基毫米波亚毫米波集成电路的关......
[期刊论文] 作者：文进才,楼佳,孙玲玲,,
来源：压电与声光 年份：2011
提出了一种新的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺片上的互连线模型,模型在考虑互连线金属导体高频效应和衬底效应的基础上,引入了一个电容来表征金属导体通过氧化层在低阻硅衬底......
[会议论文] 作者：朱魏,文进才,孙玲玲,
来源：杭州电子科技大学第六届研究生IT创新学术论坛 年份：2013
通过混合集成倍频技术设计了一种V波段宽带八倍频器。该八倍频器由MMIC四倍频电路、带通滤波电路、MMIC二倍频电路以及微带+波导过渡结构构成,带通滤波器采用了zigzag带...
[会议论文] 作者：孙玲玲;刘军;文进才;,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
在已过去的十余年中,随着Internet的爆炸式发展,宽带无线通讯产业的快速增长不断驱动可靠、高性能和廉价低功耗射频(RF)电路与器件的发展,RFIC的集成度不断提高,传统意义上仅...
[会议论文] 作者：楼佳,孙玲玲,文进才,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
传输线是目前单片毫米波集成电路的关键器件之一。对硅基纳米尺度下的传输线的结构和性能进行了研究，分别对比和分析了同一种工艺(90nm CMOS)下三种经典的传输线结构(微带...
[会议论文] 作者：张倩,孙玲玲,文进才,
来源：杭州电子科技大学第六届研究生IT创新学术论坛 年份：2013
利用GaAs FET管器件的非线性特性设计了一个单端毫米波段二倍频器,输入频率为27-34GHz,输出频率为54-68 GHz.该倍频器由非线性器件、输入匹配电路、输出匹配电路、谐波抑制电路、偏置电路组成.当输入基波功率为5dBm时,实现了约0-2.3 dBm的二次谐波输出功率,基波......
[期刊论文] 作者：徐荣文,孙玲玲,文进才,,
来源：机电工程 年份：2009
在采用传统微带线负载移相器设计小相位数字移相器时,遇到了负载线宽过窄的问题,而一般半导体工艺很难实现。在此基础上,提出了一种改进型微带线负载移相器的设计方法。该移...
[期刊论文] 作者：于江豪,文进才,李文钧,,
来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版) 年份：2017
针对输出电压为5V-100V的开关电源,提出了一种以STM32F103微处理器和SG3524为控制核心的设计方案.电源设计主电路采用DC/DC推挽型功率变换器,STM32F103通过内部DAC输出电压与...
[期刊论文] 作者：褚云飞,孙玲玲,文进才,,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2007
设计了一种宽带且适合低压工作的上变频混频器.该上变频混频器采用电流注入结构缓减混频器噪声和线性度的相互制约关系,采用伪差分结构和LC负载结构实现低压工作.上变频混频...
[期刊论文] 作者：李寿辉,孙玲玲,文进才,
来源：第一届研究生IT创新学术论坛 年份：2008
文章提出了一种由调谐电感和PMOS管构成的3阶互调失真(IMD3)吸收单元来提高线性度。该结构接于传统CMOS共源共栅低噪声放大器(CMOS Cascode LNA)共源级输出端，它通过吸收漏级...
[期刊论文] 作者：孟益超,文进才,孙玲玲,
来源：杭州电子科技大学学报:自然科学版 年份：2021
设计了一种利用吉尔伯特结构、基于0.18μm的CMOS工艺的20~30GHz范围变频混频器。首先,设计变压器巴伦以实现电路信号的差分输入,并在中频输出端增加电阻反馈的缓冲放大级,实...
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