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[期刊论文] 作者：徐温元,
来源：物理 年份：1989
自１９７０年以来，非晶硅基合金作为一种新型的电子材料，由于它的优异的光电特性，使它在太阳能电池及其他方面具有广泛的应用前景，从而推动着人们对这类材料特性进行深入研究。近几年国际......
[期刊论文] 作者：徐温元,
来源：物理 年份：1986
每两年一次的国际非晶半导体会议是该领域具有较高学术水平的聚会.第十一届国际非晶和液态半导体会议于1985年9月2—6日在意大利罗马古城的罗马大学召开.参加会议的代表约400...
[期刊论文] 作者：徐温元,,
来源：中国科学基金 年份：1991
非晶硅基合金半导体材料是近些年开发研究的新型光电功能材料。由于它在光电技术方面具有广泛应用背景,特别是在薄膜太阳能电池和大面积薄膜场效应管(TFT)矩阵以及各类敏感器...
[期刊论文] 作者：韩茂畴,徐温元,
来源：半导体光电 年份：1986
目前,国际上通用两种方式制备α-siPIN太阳电池,即单反应室和分离反应室。前者由于设备简单,仍受到人们的相当重视。过去,我们在单反应室里制作的PIN太阳电池,其转换效率一直...
[期刊论文] 作者：李长健,徐温元,
来源：半导体学报 年份：1985
用射频溅射方法制备了无定形锗硅合金 a-Si_(1-x)Ge_x: H膜的光学带隙随x值的增加而单调下降.用最小二乘法将光学带隙数据作线性拟合得到E_g(eV)=1.79-0.98x.当膜中锗的原子...
[期刊论文] 作者：李德林,孙仲林,徐温元,
来源：半导体技术 年份：1983
GD非晶硅中氧的掺杂对材料的光电特性有重要的影响。我们测量了a-Si:H和a-Si:H:O的光学带隙和光电导光谱响应,发现掺氧将会使光学带隙有所增加。光电导光谱响应测量表明,掺氧...
[期刊论文] 作者：赵建国,熊绍珍,徐温元,
来源：材料科学进展 年份：1987
改变 GDa-Si_(1-x)Ge_x∶H 薄膜中 Ge 的含量,可以获得1.8—0.9eV 的带隙能量范围。对于x>0.3的薄膜,准费米能级的位置接近带隙的中央,电导激活能随 x 值的增加而线性地减小...
[期刊论文] 作者：孙钟林,熊绍珍,徐温元,
来源：半导体学报 年份：2004
本文报道了有关在a-Si:H中能产生明显原生对复合效应的生长条件.在具有这一效应的材料上所测得的光量子效率随外场强变化的关系曲线与由Onsager理论计算曲线是吻合的,仅在高...
[期刊论文] 作者：李长健,殷永柏,徐温元,
来源：半导体学报 年份：1987
用SiH_4和SnCl_4作源,用 GD工艺制备了无定形硅锡合金.随着锡含量的增加,合金膜的光学带隙和光电导率均单调下降,导电类型由N型变为P型.随着光学带隙的减小,激活能先增加后减...
[期刊论文] 作者：李长健,殷永柏,徐温元,
来源：太阳能学报 年份：1986
本文报道了以SnCl_4为源a-SiSn:(Cl,H)的研制工作。该材料中Cl含量可通过改变衬底温度和射频功率调节,不显著地影响Sn的比例。掺入较小量的Sn可获得光学带隙较窄的材料,有利...
[期刊论文] 作者：苏大昭,孙仲林,徐温元,,
来源：贵金属 年份：1981
本文就不同条件下,利用硅烷分解的辉光放电技术,制备了非品态Si-H二元合金.掺入的氢原子与非晶态硅中的悬挂键构成单氢键硅SiH_1、双氢键硅SiH_2、三氢键硅SiH_3.In this...
[期刊论文] 作者：耿新华,于振瑞,孙钟林,徐温元,
来源：光电子技术 年份：1995
本文利用氢气射频等离子体辉光放电技术对a－Si及poly－Si薄膜进行了后氢化研究。确定了最佳后氢化处理条件。对后氢化前后材料的电学、光学及电子态等特性进行了测量、分析。结...
[期刊论文] 作者：李德林,林美荣,张桂兰,徐温元,
来源：电子学报 年份：1984
本文介绍用“渡越时间”法测量辉光放电硅烷生长的本征非晶硅材料的电子迁移率。讨论了电场强度和注入光强度对瞬态光电流的影响。由于制备条件的不同,a-Si:H材料中电子迁移...
[期刊论文] 作者：徐温元,孙钟林,王宗畔,李德林,
来源：半导体学报 年份：1982
研究了以氧、氮或它们的混合气体作为掺杂材料所制备的a-Si 薄膜,并分析了掺杂后对其光电特性的影响.在我们的实验室中,不掺杂的样品是高阻和低光电导的,然而在GD制备过程中...
[期刊论文] 作者：陈之章,韩茂畴,王宗畔,徐温元,
来源：半导体学报 年份：1986
本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析....
[期刊论文] 作者：孙钟林,李长键,胡景康,徐温元,,
来源：贵金属 年份：1981
文章从低成本a-Si肖特基电池材料着眼,研究了Au和Ni与辉光放电法制备的非晶态硅所形成的肖特基结特性,即接触势垒的高度?n;二极管的I-V曲线和品质因子. 出于以下目的分别测...
[期刊论文] 作者：孙钟林,陆靖谷,孙桂荣,徐温元,,
来源：贵金属 年份：1981
本文分析了集成电路掩膜材料的发展过程,特别是彩色版的发展及其应用,从而提出以a-Si:H合金薄膜作为一种新的掩模材料的可能性.我们认为由于a-Si:H中大量的H的存在,明显地改...
[期刊论文] 作者：阎宝杰,石立峰,耿新华,孙仲林,徐温元,
来源：电子学报 年份：2004
本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2...
[期刊论文] 作者：耿新华,孟志国,陆靖谷,孙钟林,徐温元,
来源：半导体学报 年份：1991
我们用辉光放电法在较低的衬底温度下(90℃)获得了掺磷微晶化硅(n~+μC-Si).并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在150℃衬底温度,2％掺杂时获得了电导率近30(Qcm...
[期刊论文] 作者：石立峰,阎宝杰,王广才,孙钟林,徐温元,
来源：计算机应用 年份：1991
本文阐述了美国 EG&G 公司生产的 Boxcar Averager 162&165的计算机自动控制的设计方法与实现。对这套控制系统的硬件结构进行了简单介绍,并对其软件进行了较为详细的描述。...
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