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[期刊论文] 作者：彭学新,,
来源：新世纪论丛 年份：2006
那坡彝族具有悠久的民族文化和极具特色的民俗风情,尤其是一年一度的跳弓节可堪称民俗风情中的一朵奇葩,它向人们展现了极具魅力的优美舞蹈、极富原生态韵味的节日氛围。文章...
[期刊论文] 作者：彭学新,
来源：云梦学刊 年份：2007
考察中国少数民族服饰时,在十分注意它们千奇百怪的形制的同时,更要关注它们鲜艳夺目、层次丰富的色彩,形成一定的色觉共识。这便于研究人员对各少数民族服饰的颜色研究提供...
[期刊论文] 作者：彭学新,
来源：南昌大学学报(工科版) 年份：2001
由我校材料科学研究所承担的国家 863计划“ＧａＮ基蓝光材料生长及ＬＥＤ器件研制”项目 ,于 2 0 0 0年 12月 4日一次性通过 863新材料领域专家委员会组织的验收 该项目在国内首次研制......
[期刊论文] 作者：彭学新,,
来源：机械工艺师 年份：1983
大连全属冷成型模具厂近年来试验成功了一种剖分型的六角螺母组合套模,经23个省市和80多个标准件厂试用并鑑定,使用寿命均比一般的Cr12型冷作模具钢制作的模具使用寿命提高...
[期刊论文] 作者：彭学新,,
来源：机械工艺师 年份：1983
涂装是机械制造生产中的重要基础技术之一。机械产品在讲求质量、提高内在性能的同时,必须看到外观质量的重要性。把涂层的表面防护性能和外观装饰性能搞上去,对提高产品的...
[期刊论文] 作者：彭学新,,
来源：新世纪论丛 年份：2006
文章就民俗文化中的酒特有的深层涵义,极力展现了其丰富多彩的意象,并着重从物质到精神进一步挖掘了其深刻的内涵。对酒意象的双重把握中,更好地领会到了中国民俗文化的博大...
[学位论文] 作者：彭学新,
来源：浙江工商大学 年份：2020
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[期刊论文] 作者：彭学新,
来源：创新创业理论研究与实践 年份：2023
在我国大力实施“双创”的时代背景下，创新创业教育工作已经纳入高校人才培养体系，并呈现出良好的发展态势，有力地促进了“双创”教育在高校的落实。尽管绝大多数高校对创新创业教育工作都给予高度重视，但在构建长效人才培养机制方面仍然面临诸多困境。对此，高校应当......
[期刊论文] 作者：蒲勇,彭学新,
来源：南昌大学学报(工科版) 年份：2003
本文研究了使用电阻丝加热的MOCVD反应管中加热器的控制技术,报道了具有通用性的自动限流控制电路工作原理及其调试方法.本技术主要适用于高电阻温度系数加热元件的控制及保...
[期刊论文] 作者：廖清华,彭学新,
来源：半导体学报 年份：1998
我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜，利用Ｘ射线衍射观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪放结构三种相结构，并首次实验测量出了闪锌矿结构ＭｇＳｅ的晶格常数 。......
[会议论文] 作者：范广涵,彭学新,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：蒲勇,彭学新,王慧,
来源：江西化工 年份：2003
介绍了电阻温度系数较大的几种加热元件的特性,报道了具有通用性的自动分段调压电路工作原理及调试方法.该技术主要适用于高电阻温度系数加热元件的控制及保护,设计了通用性...
[会议论文] 作者：李述体;彭学新;王立;熊传兵;李鹏;,
来源：第七届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2000
采用MOCVD系统AlO为衬底在CaN膜上生长了InCaN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道(RBS/channeling)技术和光致发光(PL)技术对InCaN样品进行了测试。研究表明在一定范围，降低TMIn/TEGa比...
[期刊论文] 作者：熊传兵,姚冬敏,彭学新,王立,江风益,
来源：南昌大学学报：工科版 年份：2001
对两类未故意掺杂GaN样品,用He-Cd激光器325 nm线激发,进行光致发光性能测试,发现表面呈浅白色的样品出现一个新的发光峰,该峰在300K时位于3.146 eV处.对此类样品进行变激发...
[期刊论文] 作者：姚冬敏,王立,熊传兵,彭学新,江风益,
来源：发光学报 年份：2000
用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能.结果表明:GaN薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin和其补偿度存在...
[期刊论文] 作者：江风益,李述体,王立,彭学新,熊传兵,
来源：光学学报 年份：2001
以Al2 O3 为衬底 ,采用金属有机汽相沉积 (MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1 -xN薄膜。以卢瑟福背散射 沟道技术和光致发光技术对InxGa1 -xN GaN Al2 O3 样品进行了分析。研...
[会议论文] 作者：江风益,熊传兵,彭学新,王立,李鹏,周毛兴,
来源：第七届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2000
研制成功InGaNp-n异质结紫色发光二极管。本器件在工作电压5V工作电流20mA时的电致发光波长为382nm，半高宽为11nm。...
[期刊论文] 作者：万凌云,莫春兰,彭学新,熊传兵,王立,江风益,
来源：发光学报 年份：2002
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与...
[会议论文] 作者：莫春兰,熊传兵,李鹏,彭学新,王立,姚冬敏,
来源：第七届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2000
用MOCVD技术在三种气体混合不同即预反应大小不同的反应管中生长掺硅的CaN单晶膜。通过对样品进行光电性能的分析，研究了预反应的大小对掺硅CaN单晶膜性质的影响。研究结果表...
[期刊论文] 作者：王立,李述体,彭学新,熊传兵,李鹏,江凤益,
来源：发光学报 年份：2001
采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分、厚度、结晶品...
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