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[学位论文] 作者：张序清,,
来源：浙江大学 年份：2004
锂硫电池以单质硫作为正极材料,在理论容量和能量密度方面具有很大的优势,而且单质硫还具有储量丰富、成本低廉、环境友好、安全可靠等优点,所以被认为是下一代极具应用前景...
[期刊论文] 作者：罗昊,张序清,杨德仁,皮孝东,
来源：人工晶体学报 年份：2021
碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点,被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一。近年来,物理气相传输(PVT)法在制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底方面取得了重大突破,进一步推动了SiC在高压、高频、高温电子器件领域的......
[期刊论文] 作者：张玺,王蓉,张序清,杨德仁,皮孝东,
来源：中央民族大学学报（自然科学版） 年份：2021
碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片.针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素......
[会议论文] 作者：高明霞;王锭笙;张序清;刘永锋;潘洪革;,
来源：第一届全国储能科学与技术大会 年份：2014
随着锂离子电池在电动汽车、混合动力汽车、电动工具以及太阳能、风能存储等需要高容量、长寿命、高功率电池领域需求的不断增加,传统的碳系负极材料由于其有限的容量(37...
[期刊论文] 作者：张序清,罗昊,李佳君,王蓉,杨德仁,皮孝东,
来源：人工晶体学报 年份：2022
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料.得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC......
[会议论文] 作者：张序清,谢东,钟宇,汪东煌,吴建波,王秀丽,夏新辉,谷长栋,涂江平,
来源：2017年锂硫电池前沿学术研讨会 年份：2017
本文通过多巴胺自聚合的方法在传统的硫碳正极上包覆一层保护层,制备了S/C@pDA三元核壳材料。其中导电碳黑作为载硫基体，聚多巴胺作为保护层抑制多硫化物的溶解。相比较S/C电极,S/C@pDA电极在容量保持率、倍率性能、循环寿命等方面有很大的提升。......
[期刊论文] 作者：张玺,朱如忠,张序清,王明华,高煜,王蓉,杨德仁,皮孝东,
来源：人工晶体学报 年份：2023
研磨作为4H碳化硅（4H-SiC）晶片加工的重要工序之一，对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响，基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况，推导出简易的晶片材料去除速......
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