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[学位论文] 作者：张务永,,
来源： 年份：2009
GaAs宽带微波功率单片集成电路以其良好的技术性能和可靠性,已广泛应用于卫星通信、机载火控雷达、电子对抗、导弹制导系统和其他武器装备。本文介绍了一种宽带GaAs功率放大...
[期刊论文] 作者：王同祥,武继斌,张务永,,
来源：半导体技术 年份：2005
介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立.X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50 Ω,单片性能...
[会议论文] 作者：张务永,倪涛,高学邦,王生国,
来源：2005全国微波毫米波会议 年份：2006
本文介绍了一种X波段高增益功率放大器的设计及测试结果.该放大器采用电抗匹配电路结构,利用了AgilentADS软件进行电路优化,采用0.5μmGaAsHFET工艺制作.在8.6-10.2GHz频率范...
[会议论文] 作者：王静辉,卜瑞艳,张务永,李绍武,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
电子产品的小型、轻量、多功能、智能化的要求,同时也对集成电路的封装提出了更高的要求.本文主要叙述了芯片的倒装技术的工艺流程,工艺难点,倒装技术的最新发展,芯片倒装中粘合剂添加工艺的影响因素.......
[期刊论文] 作者：柳现发, 王德宏, 王绍东, 吴洪江, 张务永,,
来源：半导体技术 年份：2008
利用负反馈放大器设计原理，采用GaAs PHEMT工艺技术，设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片，并给出了详细测试曲线。该放大器由两级组成，采用负反馈结构，工作频率0.8-......
[期刊论文] 作者：张务永,王翠卿,王生国,王同祥,张慕义,
来源：河北省科学院学报 年份：2005
概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术。介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况。该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺...
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,张务永,孙希国,崔玉兴,高学邦,付兴昌,吴洪江,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2013
采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器...
[会议论文] 作者：杜鹏搏,张务永,张力江,王彪,张志国,武继斌,尹甲运,胡志富,付兴昌,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文采用国产外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC的设计、工艺、测试等关键技术,研制成功Ka波段12W GaN功率放大器MMIC.电路采用三级级联放大结构,采用...
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