【摘 要】
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GaAs宽带微波功率单片集成电路以其良好的技术性能和可靠性,已广泛应用于卫星通信、机载火控雷达、电子对抗、导弹制导系统和其他武器装备。本文介绍了一种宽带GaAs功率放大
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GaAs宽带微波功率单片集成电路以其良好的技术性能和可靠性,已广泛应用于卫星通信、机载火控雷达、电子对抗、导弹制导系统和其他武器装备。本文介绍了一种宽带GaAs功率放大器芯片的研制过程。该芯片采用有耗匹配电路结构以拓宽频带;通过三级级联放大、末级采用大栅宽器件进行功率合成,实现了电路的高增益和大功率输出;采用0.35μm GaAs HFET工艺技术制作。另外,还讨论了一些常见的宽带功率放大器的拓扑结构,并对元器件模型技术、GaAs MMIC制作工艺以及测试技术等进行了详细描述。该芯片在河北半导体研究所的3英寸GaAs工艺线上制作完成,在2～6GHz的频率范围内,饱和输出功率大于35dBm,1dB压缩点输出功率大于34dBm,功率增益大于23dB,功率附加效率大于20%,输入驻波比小于2.5:1。该芯片的宽带及大功率特性使它可在许多宽带微波应用领域得到应用。
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