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[期刊论文] 作者：席光义,,
来源：电子元器件资讯 年份：2009
自从GaN基蓝光、白光LED的技术问世以来,LED技术直接引发并推动了白光照明技术的新科技革命.近些年来,随着制造成本的下降和发光效率、光衰等技术瓶颈的突破,LED在照明市场的...
[期刊论文] 作者：席光义,
来源：建筑遗产 年份：2013
摘要：随着科学技术的进步，先进的防渗漏技术在工民建设中的应用也越来越多。防渗漏技术的应用，不仅有效的提高了建房质量，还能有效促进建筑业的发展和创新。本文主要针对工民建设施工中的渗漏的原因及防渗漏的技术应用，提出了一个总的详细的概述。 关键词：渗漏技术......
[期刊论文] 作者：江洋,罗毅,汪莱,李洪涛,席光义,赵维,韩彦军,,
来源：物理学报 年份：2009
在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体...
[期刊论文] 作者：江洋,罗毅,薛小琳,汪莱,李洪涛,席光义,赵维,韩彦军,,
来源：光电子.激光 年份：2008
采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜（AFM）对金属有机化合物气相外延（MOVPE）在蓝宝石图形衬底（PSS）上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究，分析结果表明，位......
[期刊论文] 作者：李洪涛,罗毅,席光义,汪莱,江洋,赵维,韩彦军,郝智彪,孙长征,,
来源：物理学报 年份：2008
结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量....
[期刊论文] 作者：席光义,任凡,郝智彪,汪莱,李洪涛,江洋,赵维,韩彦军,罗毅,,
来源：物理学报 年份：2008
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延...
[期刊论文] 作者：席光义,郝智彪,汪莱,李洪涛,江洋,赵维,任凡,韩彦军,孙长征,罗毅,,
来源：物理学报 年份：2008
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气...
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