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[期刊论文] 作者：娄艳芳,巩拓谌,张文,郭钰,彭同华,杨建,刘春俊,
来源：人工晶体学报 年份：2020
使用物理气相传输法（PVT）制备出直径209 mm的4H-SiC单晶，并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X-射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备，对8英寸衬底的晶型、结晶质......
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