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[期刊论文] 作者：季秉厚,
来源：农村能源 年份：2001
利用风能、太阳能混合发电系统进行一年四季均衡供电 , 为无电网地区提供可靠的电力供应 , 报道了发电系统的构成和应用情况 ....
[期刊论文] 作者：张治国,季秉厚,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：1992
垂重多重结半导体器件(VMJ)有良好的近红外光电特性。本文报道了垂直多重结器件的制作工艺及其红外光谱响应的测量结果,同时对该器件的红外谱响应作了分析,并挺出了进一步改...
[期刊论文] 作者：季秉厚,张治国,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：1997
用真空热迁移法，以高纯石墨作为加热元件，构成大面积均匀热板，并以纯铁为冷板，通过严格控制冷、热板的温度，形成稳定的热梯度场。采用高阻单晶硅作为探测器的基体材料，在硅片表面用......
[期刊论文] 作者：李健,季秉厚,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：1995
干氧法钝化发射区改善硅太阳电池短波响应李健，金国，季秉厚，于光（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＩｍｐｒｏｖｉｎｇＳｈｏｒｔｗａｖｅＲｅｓｐｏｎｓｅｏｆＳｉＳｏｌａｒＣｅｌｌｂｙｔｈｅＤｒｙ－ＯｘｉｄｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎｏｎｔｈｅＣｅ.........
[会议论文] 作者：艾彬,季秉厚,
来源：中国第六届光伏会议 年份：2000
利用户用风光互补发电系统的匹配计算程序,给出了太阳电源组合板不同跟踪方式下的计算结果.对于户用风光互补发电系统,选择最佳倾角的要求不是很高.一年调整两次倾角比以固定...
[期刊论文] 作者：季秉厚, 张存生,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：季秉厚,李蓉萍,
来源：太阳能学报 年份：1992
用双源蒸发法,在133.3μPa真空小,同时蒸发CuInSe2材料+Cu或CuInSe2材料+Se,获得多晶CuInSe2薄膜。薄膜在氩气气氛中进行热处理,使CuInSe2薄膜的组份、晶粒、电学和光学性能...
[期刊论文] 作者：季秉厚,张玉仙,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：1997
采用掺杂和表面修饰技术制备ＬａＦｅＯ３乙醇气体传感器，明显地改善了传感器的特性。元件的灵敏度β≥１０（当乙醇气体浓度为２００×１０＾－６时），乙醇气体和汽油的分离度α为１４．３，在整个相对湿度变化范围内，元件......
[期刊论文] 作者：季秉厚,李蓉萍,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：1998
报道了ＳｎＯ２－ＺｎＯ二元系半导体陶瓷体及其薄膜的制备方法，材料的电学，光学，热敏，气敏和湿敏特性，以及掺杂和热处理对材料特性的影响，ＳｎＯ２－ＺｎＯ半导体陶瓷材料有很好的稳定性，是一种多功能复合半导体材料......
[期刊论文] 作者：季秉厚,周炳卿,
来源：新能源 年份：1991
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[期刊论文] 作者：李全虎,季秉厚,
来源：新能源 年份：1992
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[期刊论文] 作者：贾维国,季秉厚,
来源：传感器技术 年份：1998
本实验是在单晶硅片上热生长一层ＳｉＯ２，然后用真空淀积的方法获得一层超微粒ＳｎＯ２薄膜，通过对ＳｎＯ２／ＳｉＯ２薄膜电阻与相对湿度关系的测试，发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于ＳｎＯ２薄膜和ＳｉＯ２薄膜，测湿范围明显展......
[期刊论文] 作者：李全虎,季秉厚,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：1993
根据用户地区的气象资料、地理环境和太阳电池、蓄电池及负载的特性，利用计算机辅助设计（CAD）的方法，对光伏电源系统进行匹配设计，打印出系统匹配方案，设计了一种与匹配系统相应的......
[期刊论文] 作者：李蓉萍,季秉厚,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：1990
用真空反应蒸发,在玻璃、陶瓷及Si-SiO2衬底上获得晶粒线度为90至0.2μm的超微粒SnO2薄膜,对薄膜的结构、形貌及其电学性质和光学性质进行了研究。通过控制掺杂,使薄膜具有优...
[会议论文] 作者：季秉厚,李蓉萍,
来源：第六届全国湿度与水分学术交流会 年份：1996
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[会议论文] 作者：李全虎,季秉厚,
来源：中国第三届光伏技术会议 年份：1991
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[会议论文] 作者：李全虎,季秉厚,
来源：中国第三届光伏技术会议 年份：1991
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[会议论文] 作者：季秉厚,张玉仙,
来源：中国仪器仪表学会第五届全国温度与水分学术交流会 年份：1994
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[会议论文] 作者：季秉厚,李蓉萍,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
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[期刊论文] 作者：张存生,季秉厚,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：1986
本文报道用高位错密度N_D=10~6～10~(10)废次复拉单晶硅制作太阳电池,研究了位错对太阳电池性能的影响。用损伤吸杂、重掺磷及氢化处理可以消除高位错密度对太阳电池特性的影响...
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