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用双源蒸发法,在133.3μPa真空小,同时蒸发CuInSe2材料+Cu或CuInSe2材料+Se,获得多晶CuInSe2薄膜。薄膜在氩气气氛中进行热处理,使CuInSe2薄膜的组份、晶粒、电学和光学性能得到改善。用经热处理的多晶CuInSe2薄膜制备CdS/CuInSe2太阳电池,在2cm×2cm面积上获得转换效率为4.8％（AM1.5）的结果。