搜索筛选:
搜索耗时1.5467秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 90 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：孔月婵,
来源：南京大学 年份：2007
随着上世纪九十年代GaN材料制备关键技术的突破，以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体作为新一代半导体材料迅速崛起，成为发展新型半导体异质结构与器件的重要材料．Ⅲ族氮化物具有宽带......
[期刊论文] 作者：孔月婵,郑有炓,,
来源：物理学进展 年份：2006
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发，重点讨论了AlGaN／GaN异质结构中二维电子气的性质，总结分析了......
[期刊论文] 作者：朱广润,张凯,孔月婵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。...
[期刊论文] 作者：倪金玉, 孔岑, 周建军, 孔月婵,,
来源：电源学报 年份：2019
基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高...
[期刊论文] 作者：汪流, 刘军, 陶洪琪, 孔月婵,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：陈堂胜,孔月婵,吴立枢,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中...
[期刊论文] 作者：周建军,孔岑,张凯,孔月婵,,
来源：电力电子技术 年份：2017
针对氮化镓（CAN）功率器件的研制，采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构，分别研制了阈值电压2V以上、击穿电压1200V以上的凹槽栅结构和阈值电压1．1V、击穿电压350V以上、输出电流......
[期刊论文] 作者：韩克锋,王创国,朱琳,孔月婵,,
来源：西安交通大学学报 年份：2017
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体（MOS）高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介...
[期刊论文] 作者：陆海燕,周建军,孔月婵,陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测...
[期刊论文] 作者：孔月婵, 李海波, 马琨傑, 钱广,
来源：微波学报 年份：2022
微波光子芯片是支撑微波光子学发展的基石。针对微波光子芯片材料体系多样、难以多功能集成等问题，异质/异构集成技术提供了一种有效途径。该技术可将不同材料体系的最优性能器件集成到同一芯片上，大大扩展微波光子芯片的功能，降低微波光子功能模块的体积、重量，并......
[期刊论文] 作者：郭怀新, 孔月婵, 韩平, 陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：韩克锋, 蒋浩, 秦桂霞, 孔月婵,,
来源：电子学报 年份：2018
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN...
[期刊论文] 作者：孔月婵,薛舫时,周建军,李亮,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后...
[期刊论文] 作者：许理达,戴家赟,孔月婵,王元,
来源：电子元件与材料 年份：2021
针对基于外延层转移技术的InP HBT与Si COMS异质集成工艺中的器件互连问题,本文系统性地开展了ICP干法刻蚀BCB(苯并环丁烯)工艺研究。重点研究了射频功率、腔室压强和刻蚀气...
[期刊论文] 作者：孔月婵,郑有炓,储荣明,顾书林,
来源：物理学报 年份：2004
通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能...
[期刊论文] 作者：郑惟彬,孔月婵,陈堂胜,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法，详细研究了Ⅲ-氮化物的速．场特性和低场迁移率特性，数值计算了掺杂浓度和晶格温度对Ⅲ-氮化物输运特性的影响。结果表明，在忽略缺陷和表面粗糙......
[会议论文] 作者：郑惟彬,孔月婵,陈堂胜,陈辰,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上,本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算,不仅研究了GaN...
[期刊论文] 作者：张有涛,孔月婵,张敏,周建军,张凯,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
南京电子器件研究所基于76.2 mm(3英寸)0.1μm Ga N工艺,采用f_t/f_(max)分别为100 GHz/165 GHz的耗尽型晶体管设计,首次研制出16 Gb/s的3 bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1...
[期刊论文] 作者：周奉杰,孔月婵,顾晓文,牛斌,
来源：光电子技术 年份：2019
研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性, 分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构, 在微环腔长1 218 μm的单环和双环滤波器中, 分别......
[期刊论文] 作者：黄语恒, 郭怀新, 孔月婵, 陈堂胜,,
来源：电子元件与材料 年份：2019
针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术...
相关搜索：
