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[期刊论文] 作者：周绪荣,,
来源：湖北中医杂志 年份：2004
临床资料:15例烫伤患者,男性9例,女性6例;年龄最小10个月,最大57岁;烫伤面积5～10％7例,10～20％6例,20～30％2例,烫伤深度均为Ⅱ°药物组成:黄连10克,大黄30克,没药30克,生地30克,...
[学位论文] 作者：周绪荣,
来源：北京大学 年份：2008
GaN及其化合物AlxGa1-xN，InxGa1-xN，AlxInyGa1-x-yN在光电器件及高温、高功率电子器件等方面有着广泛的应用。近年来，制备高效率的深紫外LED及太阳光盲探测器是Ⅲ族氮化物研究中...
[期刊论文] 作者：田贺佳,周绪荣,李云飞,,
来源：民营科技 年份：2009
以科学发展观的基本理论为指导,全面树立金融企业财务管理新理念,积极创新发展模式,对金融企业全面建立新型财务管理体系至关重要。Guided by the basic theory of the sci...
[期刊论文] 作者：田贺佳,周绪荣,陶睿,,
来源：黑龙江科技信息 年份：2009
对各类财税制度关于固定资产规定的差异进行分析。...
[期刊论文] 作者：刘印涛,田贺佳,周绪荣,
来源：中小企业管理与科技 年份：2009
由于商业银行正在和即将面临的内外部经营形势日趋复杂，向管理要效益，向体制和机制的进一步改革深化要效益愈发显得重要。如何在当前形势下，更有效地调动各方面积极性，更有效地发......
[期刊论文] 作者：周绪荣 张春学 高伟成,
来源：企业导报·上半月 年份：2009
【摘要】 我国银行业对外资全面开放，以及金融业综合化经营的稳步推进，商业银行将面临新的形势和挑战。国内银行提高其核心竞争力，投资银行业务是重要的利润增长点。如果能够充分运用现有的各类优势，选择好清晰的发展思路和平台，商业银行将迎来投行业务做大做强的时......
[期刊论文] 作者：叶颖,肖钊,周绪荣,杨梦瑶,王思成,
来源：中国电子商务 年份：2014
2012年11月11日,全友家居和林氏木业家居位于天猫旗舰店的单日天破亿的销售额,打破了家居行业在线下实体店销售的传统格局.随着经济技术网络技术的发展,导致信息对称化程度越...
[期刊论文] 作者：胡璐璐,余欢,杨梦瑶,温巧玲,周绪荣,
来源：中国电子商务 年份：2013
随着O2O模式的发展，旅游业在O2O模式上的发展前景广阔。本文针对O2O发展的客观趋势，从荆州旅游业面临的问题出发，对荆州市旅游局和旅游景点进行采访调查，通过对O2O在荆州旅游业中......
[期刊论文] 作者：岑龙斌,桑立雯,周绪荣,秦志新,张国义,,
来源：半导体光电 年份：2007
通过在GaN缓冲层上先生长一层20nm厚的AIN插入层，成功地在此插入层上生长出了200nm厚的AlxGa1-xN（0．22〈x〈0．28）材料。研究并优化了AlxGa1-xN材料上的Ti／Al／Ni／Au欧姆接触和Ni基肖特...
[会议论文] 作者：岑龙斌,桑立雯,周绪荣,秦志新,张国义,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型...
[会议论文] 作者：周绪荣, 秦志新, 鲁麟, 沈波, 岑龙斌, 张国义, 俞大,
来源： 年份：2004
AlxGa1-xN 是紫外光探测器和深紫外 LED 所必需的外延材料,而采用 MOCVD 在蓝宝石衬底上生长的 GaN 基 AlxGa1-xN 薄膜由于受张应变非常容易发生龟裂。GaN/AlxGa1-xN 超...
[期刊论文] 作者：周绪荣,秦志新,鲁麟,沈波,桑立雯,岑龙斌,张国义,俞大鹏,,
来源：发光学报 年份：2008
室温300 K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到AlN的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料。高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生...
[期刊论文] 作者：周绪荣,秦志新,鲁麟,沈波,桑立雯,岑龙斌,张国义,俞大鹏,张小平,
来源：发光学报 年份：2008
室温300 K下,由于AlxGa1-xN 的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到 AlN 的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分AlxGa1-xN材料...
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