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<正>AlxGa1-xN 是紫外光探测器和深紫外 LED 所必需的外延材料,而采用 MOCVD 在蓝宝石衬底上生长的 GaN 基 AlxGa1-xN 薄膜由于受张应变非常容易发生龟裂。GaN/AlxGa1-xN 超晶格插入层技术是释放应力和减少 AlxGa1-xN 薄膜中缺陷的有效方法。
蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响
【摘 要】
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<正>AlxGa1-xN 是紫外光探测器和深紫外 LED 所必需的外延材料,而采用 MOCVD 在蓝宝石衬底上生长的 GaN 基 AlxGa1-xN 薄膜由于受张应变非常容易发生龟裂。GaN/AlxGa1-xN 超
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室; 北京大学电子显微镜实验室;
【发表日期】
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2004年期
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