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[期刊论文] 作者：吴汝麟,陈坤基,,
来源：稀有金属 年份：1985
本文介绍由于化学无序所引起的非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中出现的许多特殊现象,文中首先讨论薄膜的制备方法以及淀积条件对非晶态薄膜性质的影响。在结构的研究中仍采用连续...
[期刊论文] 作者：周光能,郑有炓,吴汝麟,
来源：半导体学报 年份：1983
本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有...
[期刊论文] 作者：杨左娅,陈坤基,吴汝麟,
来源：电子学报 年份：1987
本文报导了用PECTD法制备的a-GaAs样品的基本电学和光学性质,未掺杂的a-GaAs薄膜在室温下呈N型,相应的电子漂移迁移率为10~(-2)～10~(-3)cm~2/V.s。讨论了a-GaAs薄膜材料组分配...
[期刊论文] 作者：吴汝麟,陈坤基,杨左娅,
来源：半导体学报 年份：1985
本文报道了制备a-GaAs 薄膜材料的一种新方法——PECTD法(等离子体加强的化学输运法).测量结果表明适当地选择并控制生长条件,可获得表面光亮、组分近化学比且重复性较好的a-...
[期刊论文] 作者：吴汝麟,何宇亮,邵达,,
来源：贵金属 年份：1981
①用Si H_4+HF混合气氛制备a-Si:F:H合金膜:在国内SiH_4和HF皆有商品供应,容易获取.而且在辉光放电系统中Si H_4的分解要比Si F_4容易.因此,采用SiH_4+FH混合气氛为制备a-Si...
[期刊论文] 作者：吴汝麟,谢宗钧,孙月珍,,
来源：南京大学学报(自然科学版) 年份：1963
在制备锗点接型晶体二极管时,锗片先以稳态过氧化氢作化学腐蚀,然后用20%KOH 电解液进行电解,则电学特性和稳定性有所改进。如果在过氧化氢化学腐蚀后再以 AgNO_3加 KNO_3电...
[期刊论文] 作者：沈宗雍,吴汝麟,何宇亮,
来源：半导体学报 年份：2004
用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随...
[期刊论文] 作者：吴汝麟,何宇亮,程光煦,,
来源：真空科学与技术 年份：1983
等离子化学传输淀积[PCTD]法是我们设计的一种用来制备非晶态硅合金膜的新法。利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在腐蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅加掺杂料。腐蚀后的产物...
[期刊论文] 作者：王志超,刘湘娜,何宇亮,吴汝麟,
来源：半导体学报 年份：1987
本文报道了a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜的制备方法、结构以及在光学方面的量子尺寸效应.This paper reports the preparation, structure and quantum size effect of a-Si...
[期刊论文] 作者：刘湘娜,何宇亮,沈宗雍,吴汝麟,
来源：电子学报 年份：1983
本文研究了用常压GVD法和GD(辉光放电)法生长的非晶与多晶硅薄膜电导特性随膜中晶粒大小的变化规律。在临近晶化温度上下范围生长的样品,带尾宽度随膜中晶粒增大而显著地减小...
[期刊论文] 作者：吴汝麟,何宇亮,沈宗雍,颜永红,
来源：科学通报 年份：1983
近些年来,由于非晶硅太阳能电池及其它非晶器件的新颖性引起人们的极大兴趣。在非晶硅器件的研制过程中,置换性掺杂是一项重要的工序。而掺杂后对非晶硅薄膜结构、电学及光...
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