【摘 要】
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本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系
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本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有效密度、电子俘获截面及与注入离子的关系;利用陷阱电子解陷的热激电流技术,研究了As~+注入氧化层中陷阱的能级深度.
In this paper, the oxide layer trapping behavior of B +, P +, As + ion-implanted MOS structures after high-temperature (> 860 ℃) annealing was investigated in this paper.Using the established avalanche hot electron injection and high-frequency CV characteristics measuring device The charge state, effective density, electron capture cross section and the relationship with the injected ions were studied. The energy level depth of the traps in the As ~ + implanted oxide layer was studied by using the thermal shock current technique of trap electron dissociation.
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