搜索筛选:
搜索耗时0.0332秒,为你在为你在61,042,058篇论文里面共找到 28 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：余学功,,
来源：浙江大学 年份：2004
深亚微米集成电路（ULSI）的快速发展对硅单晶材料提出了“大直径，无缺陷”的要求，使得大直径直拉硅的“缺陷工程”受到了巨大挑战。这主要涉及三个方面：第一，传统的3-5mm的Dash缩颈......
[期刊论文] 作者：刘秀琼,余学功,
来源：中国科教创新导刊 年份：2014
摘要：随着产业转型升级，学生学习环境条件的改善，学习途径的增多，教师如何利用现有资源提高课程教学效果，培养创新型研究人才？作者以半导体制造技术课程为例，从教学内容、教学方法、考核方式等方面进行教育教学改革。实践证明，课程教学改革后，教学效果明显提高。 关键......
[会议论文] 作者：余学功, 杨德仁,,
来源： 年份：2004
~~...
[会议论文] 作者：余学功, 杨德仁,,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：郑雪, 余学功, 杨德仁,,
来源：物理学报 年份：2013
利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了α-Si:H/SiNx叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池.用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果,通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝...
[期刊论文] 作者：余学功,马向阳,杨德仁,
来源：半导体学报 年份：2003
主要研究了快速热处理(RTP)对大直径直拉(CZ)硅片的清洁区(DZ)和氧沉淀的影响．通过在Ar、N2、O2三种不同气氛中，在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与...
[期刊论文] 作者：徐迪恺,余学功,杨德仁,
来源：中国材料进展 年份：2016
随着化石能源的日益枯竭,能源问题成为当今世界需要解决的首要问题。在将来的世界能源结构中,太阳能有望占据主导地位。石墨烯是已知材料中载流子移动速度最快的,它化学稳定...
[学位论文] 作者：杨黎飞,杨德仁,余学功,
来源：浙江大学 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：余学功,张媛,马向阳,杨德仁,
来源：半导体学报 年份：2004
通过在不同条件下退火，研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响．实验结果表明，在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃+1050℃)后，掺氮hSb-Si中与氧沉淀相关的体微...
Novel method for detection of anomalous structure characteristics of ID precision ultrathin monocrys
[期刊论文] 作者：陈宗农,郭明,王庆九,余学功,
来源：浙江大学学报 年份：2004
The structure characteristics of ID precision ultrathin monocrystalline silicon section cutting machine-tool spindle with force-monitoring bearings functioning...
[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,马向阳,阙端麟,
来源：半导体情报 年份：2001
空洞型(Void)原生缺陷在大直径直拉硅单晶中的重要性日渐突出.本文在论述大直径硅单晶中Void缺陷基本性质的同时,详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素(氧、氮、碳、...
[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,马向阳,李红,阙端麟,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干...
[期刊论文] 作者：李晓强,杨德仁,余学功,阙端麟,
来源：中国有色金属学报（英文版） 年份：2004
采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为进行研究.发现铜杂质沉淀行为与缺陷密度密...
[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,马向阳,李立本,阙端麟,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids相关的流水花样缺陷 (FPD)沿晶体轴向的分布...
[期刊论文] 作者：王晓泉,杨德仁,余学功,马向阳,阙端麟,
来源：材料科学与工程学报 年份：2003
本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复合体的生成与在氩气下差不多.这说明低温氢退...
[期刊论文] 作者：孙玉鑫, 陈加和, 余学功, 马向阳, 杨德仁,,
来源：中国科学:信息科学 年份：
直拉硅单晶是集成电路的基础材料,因而在过去几十年来被广泛而深入研究.直拉硅单晶的缺陷以及机械强度对集成电路制造的成品率有显著的影响.传统上,人们认为直拉硅单晶中除了...
[期刊论文] 作者：李晓强,杨德仁,余学功,汪雷,阙端麟,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
本文采用快速热处理的方式引入Cu杂质,利用择优腐蚀以及光学显微镜研究了p型硅和n型硅中多种类型缺陷对Cu杂质沉淀行为的影响。研究发现,在p型硅中,当Cu杂质的浓度比较低时,...
[期刊论文] 作者：周军委, 原帅, 袁康, 余学功, 马向阳, 杨德仁,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2018
本文研究了碳杂质对掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响。电阻率测试和低温傅里叶远红外吸收光谱研究表明：碳杂质显著降低了掺氮直拉硅单晶在650℃退火时所形成的...
[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,马向阳,杨建松,阙端麟,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力，将不同程度(～10^12cm^-2，～10^14cm^-2)沾污Cr的硅片在N2下进行常规的高-低-高三步退火，并由全...
[会议论文] 作者：胡泽晨, 余刚, 季勇升, 杨德仁, 余学功,
来源：第十八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会（18th CSPV）论文集 年份：2022
＜正＞～～...
相关搜索：
