【摘 要】
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本文采用快速热处理的方式引入Cu杂质,利用择优腐蚀以及光学显微镜研究了p型硅和n型硅中多种类型缺陷对Cu杂质沉淀行为的影响。研究发现,在p型硅中,当Cu杂质的浓度比较低时,
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本文采用快速热处理的方式引入Cu杂质,利用择优腐蚀以及光学显微镜研究了p型硅和n型硅中多种类型缺陷对Cu杂质沉淀行为的影响。研究发现,在p型硅中,当Cu杂质的浓度比较低时,硅体内的Cu杂质主要聚集和沉淀在位错或者晶界上,而当Cu杂质浓度较高时,Cu杂质可以在硅片内部无缺陷处形核沉淀,然而,晶界对Cu杂质的吸杂仍然表现比较明显,在晶界附近存在一个Cu沉淀很少的"洁净区"。在n型硅中,缺陷对Cu杂质的吸杂不明显。Cu杂质可以在缺陷处以及无缺陷处沉淀。但氧沉淀在n型硅中对Cu杂质的吸杂非常明显,并且氧沉淀还会阻碍Cu杂质在硅中的扩散。
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