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[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：物理 年份：1988
采用光诱导激励化学反应气氛淀积成固态薄膜，是近些年来在国际上发展极为迅速的一种薄膜生长新技术．本文介绍了光－ＣＶＤ技术的基本原理及特性，以及用该技术淀积各种类型金属薄膜、半导......
[学位论文] 作者：何宇亮,,
来源： 年份：2011
社会保障不仅是当今世界各国正在实施的一项社会政策,也是社会发展到一定阶段公民应该享有的一项基本权利,在稳定社会方面起着相当重要的作用。社会医疗保险制度作为社会保障...
[期刊论文] 作者：何宇亮,,
来源：时代教育 年份：2015
立定三级跳远是发展跳跃能力的一种有效的训练手段,是当前许多体育院校招收学生的一项重要的身体素质测试内容,其训练程度、成绩优劣对体育专项成绩影响极大。由于学生在身体...
[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：物理 年份：1993
以高浓度比的氢稀释硅烷为反应气源，在ＰＥＣＶＤ 薄膜沉积系统中利用高频等离子体中［Ｈ］基对生成膜表面弱Ｓｉ－Ｓｉ键的腐蚀作用，能有效地改善沉积硅膜中网络结构的完整性．并促使其成核生长，从而能沉积......
[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：科技资讯 年份：2012
摘要：计算机软件发明的专利保护，在促进计算机软件的研发和计算机软件技术的不断进步中，发挥着不可替代的作用。因此，探究计算机软件发明专利授权条件之一的新颖性，具有现实的理论意义和实践价值。 中图分类号：TP2文献标识码：A文章编号：1672-3791(2012)04(a)-0000-00......
[期刊论文] 作者：何宇亮,,
来源：半导体杂志 年份：1996
大家知道,纳米固体材料在当前急速发展的纳米科学与技术中占有突出的地位,它是一项面向21世纪的科学与技术,其发展具有广阔的应用前景。由于硅是当前最重要、产量最大、...
[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：科技导报 年份：1998
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[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：快乐作文（低年级版） 年份：2010
星期天．我和姐姐去龙泉公园喂鸽子。我们一来到公园，就看见好多鸽子在走上飞来飞去．快乐极了!我们赶快来到喂鸽子的地方。这里的鸽子真多呀!有白的、灰的、黑的……...
[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：物理 年份：1991
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[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：实用临床护理学杂志(电子版) 年份：2019
目的探究综合护理干预对腹腔镜手术患者术后疼痛及康复效果的影响效果。方法随机抽取我院就诊的156例行腹腔镜手术的患者,将这些患者按照随机数字表法分为观察组和对照组,每...
[期刊论文] 作者：何宇亮,,
来源：物理通报 年份：1996
原子工程材料是指近年迅速发展起来的团簇、超微粒子、薄膜及半导体量子点阵新型低维功能材料。这些材料具有许多新奇物理性质,如强量子尺寸效应,巨磁阻效应,高电导率,...
[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：学会 年份：1995
加速发展纳米科学技术，促进在微电子工业中新的技术革命和产业革命南京大学物理系何宇亮自５０年代以来，微电子技术的发展，特别是集成电路的问世，促进了计算机技术、软件技术等的发展......
[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：微纳电子技术 年份：2002
使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si:H）具有优异的性能，把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上，制成了nc-Si／c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二级管具有许多优于传统......
[期刊论文] 作者：何宇亮,,
来源：大众文艺 年份：2011
本文通过分析高中体育教学中探究式教学的内涵、重要性、应用及注意点,提出了在高中体育教学中,应把培养学生探究学习能力、发展学生个性,作为全面提高教学质量、培养学生终...
[期刊论文] 作者：何宇亮,,
来源：青春岁月 年份：2019
自唐代常州刺史李栖筠创建常州历史上第一所官学——常州府学以来,常州儒风兴盛、名士辈出,得“儒风蔚然,为东南冠”之赞.本文试从常州府学的创办及其兴盛、常州历史文化传统...
[会议论文] 作者：何宇亮,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
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[会议论文] 作者：何宇亮,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：何宇亮,,
来源：物理通报 年份：2004
1.在研究半导体問題中使用放射性同位素的必要性近十年来,由于晶体管、半导体材料制备和其它半导体物理問题的发展,研究外类化学杂貭对半导体结构以及电学和光学性貭的影响...
[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：物理 年份：1985
半导体超晶格是1970年在美国IBM公司工作的江崎等人首先提出来的.随着分子束外延技术(MBE)的发展,已在七十年代实现了这种能达到原子量级、能进行精细加工的人造晶格结构.由...
[期刊论文] 作者：何宇亮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1983
利用非晶硅薄膜的半绝缘特性将它作为硅器件,尤其是台面型硅器件的钝化保护膜,经过长达两年的实验和生产上的试用,证实了它具有特殊的优点.α-Si:H薄膜中的氢能直接填补c-Si...
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