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[期刊论文] 作者：S. Yokoyamaaose,言午,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
一、引言低温放电产生氮化硅工艺领域越来越重要。等离子体氮化硅(SiN)薄膜基本性质已通过成分、折射率、内应力、密度和振动谱研究过,所有这些性质都对诸如气体成分、射频...
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