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[期刊论文] 作者：Robert.A.Kertis,李庆文,
来源：微电子学 年份：1985
将介绍在80℃和4.5V条件下,RAS之后典型读取时间为59ns的256k NMOS DR-AM(图1)。在测试装置所限制的周期速度为55ns时,得到了图2所示的页面型读出和写入周期。 获得这一性能...
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