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[期刊论文] 作者：Achamma John Mathai,Chalappall,
来源：材料科学与应用期刊(英文) 年份：2011
We have studied the forward I-V characteristics of In-pWSe2Schottky barrier diode with 1000 ? indium thickness in the temperature range 140 – 300 K well within...
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