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Schottky Barriers on Layered Anisotropic Semiconductor – WSe<sub>2</sub>

来源 :材料科学与应用期刊(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangxinyi808

【摘 要】

：

We have studied the forward I-V characteristics of In-pWSe2Schottky barrier diode with 1000 ? indium thickness in the temperature range 140 – 300 K well within

【作 者】

：

Achamma John Mathai Chalappall 

【机 构】

：

DepartmentofAppliedPhysics

【出 处】

：

材料科学与应用期刊(英文)

【发表日期】

：

2011年8期

【关键词】

：

Schottky Diodes Interface INHOMOGENEITIES In-Pwse2 Metal Thickness CURRENT-VOLTA 

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We have studied the forward I-V characteristics of In-pWSe2Schottky barrier diode with 1000 ? indium thickness in the temperature range 140 – 300 K well within the domain of thermionic emission theory with Gaussian distribution of barrier height. However

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