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[学位论文] 作者：鲍孝圆,,
来源：重庆邮电大学 年份：2004
随着单光子探测技术应用范围的不断扩展,对其核心部件--光电探测器提出了更高要求。传统的PMT、APD等光电器件已无法满足精确探测仅几个光子量级的微弱光以及皮秒量级的时间...
[期刊论文] 作者：王巍,鲍孝圆,陈丽,徐媛媛,陈婷,王冠宇,,
来源：光子学报 年份：2016
基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p＋n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击...
[期刊论文] 作者：王巍,鲍孝圆,陈丽,徐媛媛,陈婷,王冠宇,
来源：光子学报 年份：2016
设计了一种基于金属-介质-金属波导的半圆形谐振腔与矩形谐振腔的耦合结构, 采用有限元方法研究了该结构的传播特性.结果表明：透射光谱中产生一个类似Fano共振线型的共振谷, 该Fano共振由半圆形谐振腔的宽谱共振和矩形谐振腔的窄谱共振相互耦合所导致.变化谐振腔......
[期刊论文] 作者：王巍,陈丽,鲍孝圆,陈婷,徐媛媛,王冠宇,唐政维,,
来源：激光与红外 年份：2017
设计了一种基于0．18μmCMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管（APD）。该APD采用标准0．18μmCMOS工艺，设计了两个P＋／N阱型pn节，形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI（浅沟......
[期刊论文] 作者：王巍,胡凤,鲍孝圆,黄孟佳,杨皓,杨正琳,袁军,,
来源：微电子学 年份：2017
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60GHz低噪声放大器。级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电感L与上级输出寄生电容、下级输入寄生电容...
[期刊论文] 作者：王巍,杜超雨,王婷,鲍孝圆,陈丽,王冠宇,王振,黄义,,
来源：半导体光电 年份：2015
提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p~+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析...
[期刊论文] 作者：王振,王婷,王巍,杜超雨,陈丽,鲍孝圆,王冠宇,王明耀,,
来源：半导体光电 年份：2016
设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD)。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流...
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