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[期刊论文] 作者：马式满,谭晶子,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
本文介绍了用深能级瞬态谱(DLTS)法测量GaAs MESFET的深能级杂质和缺陷。在有源层中一般没有测到深能级杂质和缺陷,但在有源层与缓冲层界面附近测到了多个空穴陷阱和电子陷阱...
[期刊论文] 作者：邵振亚,马式满,谭晶子,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
本文介绍由DLTS法检测离子注入GaAs MESFET结构中深能级陷阱的结果,并且从实验上观测了这些陷阱能级与器件某些特性的直接联系.This paper presents the results of the DL...
[期刊论文] 作者：钮利荣,杨端良,李仲朋,马式满,
来源：微电子技术 年份：2000
对Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ的前后及其退火的前后用和不用ＳｉＯ２包封进行了对比 实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率；在包封退火的情况下，光片注入 的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以，光片注入后......
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