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[期刊论文] 作者：韩金茹,
来源：甘肃教育 年份：1997
小学作文教学提前起步的尝试景泰县第二小学韩金茹传统的作文教学，一般是在完成拼音、识字，再经过一段阅读教学的训练之后才开始的。这主要是受识字量的制约，在学生没有掌握一定...
[期刊论文] 作者：韩金茹,
来源：未来英才 年份：2017
摘要：用多媒体计算机辅助教学时要与学生的多种感官相结合，留给学生充分独立思考的时间，创设动手操作、语言表达的机会，这样才能有效的发挥多媒体计算机辅助教学的作用。 关键词：多媒体；信息；技术 随着网络世界的发展，多媒体技术为数学课堂注入了新鲜血液，为此探讨......
[期刊论文] 作者：韩金茹,
来源：学校教育研究 年份：2017
随着我国经济的迅速发展，学生的社会环境和生活环境也随之发生变化，学生的心理问题也日渐突出，对学生的健康成长产生了严重影响。因此在教学中开展形式多样的心理健康教育活动，是非常重要的。 一、在教学中创设氛围，进行心理教育 心理氛围的创设是心理健康教育......
[期刊论文] 作者：苏艳兰,韩金茹,,
来源：中国医药指南 年份：2012
目的了解门诊糖尿病患者中糖尿病性视网膜病变（DR）的发生情况,并分析DR与病程及年龄的关系。方法回顾性临床调查研究。对2010年6月至2011年6月期间,在我院就诊的糖尿病患者1587...
[期刊论文] 作者：张玉敏,邹德恕,韩金茹,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2009
用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备...
[期刊论文] 作者：陈依新,沈光地,李建军,韩金茹,徐晨,,
来源：半导体学报 年份：2009
A kind of AlGaInP light emitting diode (LED) with surface anti-reflecting structure has been introduced to solve the problems of low light efficiency and restri...
[期刊论文] 作者：陈依新,沈光地,韩金茹,李建军,郭伟玲,,
来源：物理学报 年份：2010
对GaAs基AlGaInP系半导体发光二极管(light emitting diode,LED)提取效率低导致器件发热而寿命缩短等问题进行了分析,提出了一种新型表面结构的LED,在与普通LED相同的外延生...
[会议论文] 作者：陈依新,沈光地,蒋文静,李建军,高伟,韩金茹,
来源：年全国博士生学术论坛（材料科学与工程学科）论文集 年份：2007
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[期刊论文] 作者：崔碧峰, 李建军, 邹德恕, 廉鹏, 韩金茹, 王东凤, 杜,
来源：物理学报 年份：2004
提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的...
[期刊论文] 作者：汤益丹,沈光地,郭霞,关宝璐,蒋文静,韩金茹,,
来源：物理学报 年份：2012
采用等离子体增强化学气相沉积高低频交替生长法生长了SiO_2/Si_3N_4透明介质分布式:Bragg反射镜(DDBR),提出了对DDBR采用干、湿法并用的腐蚀方法.采用传输矩阵法理论分析了D...
[期刊论文] 作者：崔碧峰, 李建军, 邹德恕, 廉鹏, 韩金茹, 王东凤, 杜金玉,
来源：物理学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：邹德恕,崔碧峰,李建军,廉鹏,徐晨,韩金茹,刘莹,杜金玉,张,
来源：光电子．激光 年份：2001
隧道带间耦合级联激光器采用C掺杂生长隧道结,由于高浓度C掺杂层在激光器多个有源区之间分布形成了高电导层,增加了注入电流的横向扩展,使激光器的性能不能充分发挥出来.我们...
[期刊论文] 作者：张时明,邹德恕,陈建新,高国,杜金玉,韩金茹,董欣,袁颍,王,
来源：北京工业大学学报 年份：1996
应用“掺杂工程”和“带隙工程”各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益......
[期刊论文] 作者：邹德恕,廉鹏,张丽,王东凤,杜金玉,刘莹,韩金茹,徐晨,高国,
来源：半导体光电 年份：2002
制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展.但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平...
[期刊论文] 作者：魏欢,陈建新,邹德恕,徐晨,杜金玉,韩金茹,董欣,周静,沈光地,
来源：半导体技术 年份：2000
SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe...
[期刊论文] 作者：邹德恕,廉鹏,张丽,王东凤,杜金玉,刘莹,韩金茹,徐晨,高国,沈光地,
来源：半导体光电 年份：2002
制作小功率半导体激光器时 ,为了减小阈值电流 ,提高斜率效率 ,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展。但是由于工艺的原因 ,往往使得激光器远场特性恶化 ,特别...
[期刊论文] 作者：邹德恕,崔碧峰,李建军,廉鹏,徐晨,韩金茹,刘莹,杜金玉,张丽,高国,沈光地,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
隧道带间耦合级联激光器采用C掺杂生长隧道结,由于高浓度C掺杂层在激光器多个有源区之间分布形成了高电导层,增加了注入电流的横向扩展,使激光器的性能不能充分发挥出来.我们...
[期刊论文] 作者：张时明,邹德恕,陈建新,高国,杜金玉,韩金茹,董欣,袁颍,王东凤,沈光地,倪卫新,汉森,
来源：北京工业大学学报 年份：1996
应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益β......
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