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[期刊论文] 作者：沈志荣,薛巍,舒继武,,
来源：计算机研究与发展 年份：2014
近年来，由于处理器性能和存储性能之间的差距不断扩大，存储系统成为计算机整体系统性能提升的瓶颈．随着微电子技术的迅速发展，新型非易失存储器件由于具有非易失、低能耗、良好的...
[学位论文] 作者：冯新鹤,,
来源：电子科技大学 年份：2012
非易失性FPGA是新兴的以非易失性存储作为其基本存储单元的FPGA。与传统基于SRAM的FPGA不同，它的最大特点是系统掉电配置信息不消失，同时，带给使用者更多丰富的非易失特性的相关...
[期刊论文] 作者：,
来源：世界电子元器件 年份：2009
AgigA Tech推出了高速、高密度、非易失性RAM系统BALI和CAPRI产品系列。...该新型AGIGARAM非易失性系统（NVS）技术所实现的密度介于4MB（32Mb）到2GB（16Gb）之间，传输峰值速度与DRAM的相当...
[学位论文] 作者：崔路源,
来源：崔路源 年份：2020
非易失内存（Non-Volatile Memory,NVM）的出现改变了计算机体系结构,为数据库突破能耗和容量方面的瓶颈提供了新的思路。...除了字节可寻址、快速访存之外,非易失内存还拥有掉电非易失、高存储密度、低静态功耗等DRAM不具备的优点。这些特性使得非易失内存有很大希望成为DRAM的替代者。当非易失内存加入...
[期刊论文] 作者：,
来源：电子技术应用 年份：2009
半导体制造商ROHM株式会社（总部设在京都市），确立了非易失性逻辑IC技术的可靠性，已经开始进行批量生产阶段。此次采用了非易失性逻辑CMOS同步式的技术开发了4Pin非易失性逻辑计算...
[期刊论文] 作者：王蔚斯,,
来源：电脑与电信 年份：2011
AGIGA Tech公司是非易失性存储器领域的业界先驱，公司致力于制造能够用于多种系统方案的高可靠且经济的非易失性内存系统。其主打产品AGIGARAM是业界首款高速、高密度、非易失...
[期刊论文] 作者：刘明,
来源：光学与光电技术 年份：2016
非易失存储器是集成电路最重要的技术之一,广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域,有着巨大的市场。目前主流的非易失存储技术——基于浮栅结构...
[期刊论文] 作者：李欣泽,孙大东,濮约刚,马帅,
来源：计算机工程与设计 年份：2022
为满足工程实践中对非易失内存的需求,在不对自主通用服务器主板进行重新设计修改的前提下,设计并实现一种基于软件模拟方法.通过修改操作系统内核以及驱动,将普通的易失性内存模拟为非易失内存,实现关机时数据保存以及开机时数据恢复功能....通过与NVDIMM-N非易失内存在执行时间以及读写性能方面进行对比,采用该模拟方法达到的效果整体上优于使用NVDIMM-N非易失内存设备....
[期刊论文] 作者：,
来源：今日电子 年份：2007
Spartan-3AN平台是先进的非易失性FPGA解决方案，基于成熟的90nmSpartan-3系列产品的低成本FPGA架构，这一平台在单芯片解决方案中融合了SRAM技术以及可靠的非易失性闪存技术的性...
[期刊论文] 作者：ROHM珠式会社,,
来源：电子技术应用 年份：2009
半导体制造商ROHM株式会社(总部设在京都市),确立了非易失性逻辑IC技术的可靠性,已经开始进行批量生产阶段.此次采用了非易失性逻辑CMOS同步式的技术开发了4 Pin非易失性逻辑...
[期刊论文] 作者：吴国新,
来源：电测与仪表 年份：2002
分析了静态存储器的待机节电模式,介绍了构成非易失性SRAM两种方法:一是利用非易失性RAM控制器和静态存储器构成NVSRAM;二是利用继电器和静态存储器构成NVSRAM....
[期刊论文] 作者：吴国新,朱其祥,
来源：电测与仪表 年份：2002
分析了静态存储器的待机节电模式,介绍了构成非易失性SRAM两种方法:一是利用非易失性RAM控制器和静态存储器构成NVSRAM;二是利用继电器和静态存储器构成NVSRAM。This paper...
[期刊论文] 作者：孙强, 诸葛晴凤, 陈咸彰, 沙行勉, 吴林,,
来源：计算机科学 年份：2018
非易失性内存以其卓越的特性被视作具有巨大潜力的下一代存储设备。然而,非易失性存储单元存在写耐受度低的缺点,使其难以承受频繁的小粒度数据更新操作。文中针对非易失性存...
[学位论文] 作者：刘宁,
来源：安徽大学 年份：2010
自从Flash存储的概念被提出以后,Flash存储器一直在非易失性半导体存储器市场上处于主流地位,现在已经占据了90%以上的非易失性半导体存储器市场。虽然Flash存储器在商业应用...
[期刊论文] 作者：Wen-zhe ZHANG,Kai LU,Mikel LUJáN,Xiao-ping WANG,Xu ZHOU,,
来源：Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering 年份：2017
新型非易失存储器提供了高访问速度,大容量,字节访问粒度,以及非易失等特性。这些特性将为容错带来新的机遇。本文提出了基于非易失存储器的细粒度检查点。我们在现有操作系...
[期刊论文] 作者：钱璐,李弋,吴毅坚,赵文耘,,
来源：计算机应用与软件 年份：2018
基于非易失性内存设备的优秀特性,设计了非易失性内存卷模式改变传统内存-磁盘模式。热数据频繁访问导致严重访存冲突,降低系统性能。...基于此,在非易失性内存卷模式基础上设计了一对多地址映射,通过将热数据备份放置在不同内存通道的非易失性内存上,多核环境中,对于同一块数据的多个访问请求分配到不同数据备份上,实现并行访问,降...
[期刊论文] 作者：徐远超, 闫俊峰, 万虎, 孙凤芸, 张伟功, 李涛,,
来源：计算机研究与发展 年份：2016
近年来,以相变存储器（phase change memory,PCM）为代表的各种新型非易失存储（nonvolatile memory,NVM）技术得到广泛关注.NVM同时具有传统内存的字节寻址特性和外存的非易失特性...
[期刊论文] 作者：高省,于建云,高静,李志雄,张桓,王尚文,,
来源：河南中医 年份：2016
目的：通过对昆明医科大学司法鉴定中心2例非易中毒类中药中毒死亡案例的法医学尸体检验,探讨非易中毒类中药中毒死亡的法医学鉴定特点。方法：回顾性分析2例应用非易中毒类中药...
[期刊论文] 作者：骆素华,王健,石宏新,孟庆鑫,姜永远,孙秀冬,
来源：光子学报 年份：2009
为了提高晶体的非易失存储性能，采用双波长存储技术实验研究了LiNbO3∶In∶Fe∶Cu晶体中的非易失存储，折射率调制度为1.04×10－4，记录灵敏度达到0.965 cm/J.与传统的双色非易失记录相比...，该方法大幅度地提高了光栅的强度和记录的灵敏度.利用Kukhtarev带输运模型对双波长非易失记录过程中光栅的动态演化过程进行了数值模拟，同时讨论了氧化还原程度对双波长非易失全息记录的影响.理论与实验符合的较好...
[期刊论文] 作者：大石基之,林咏（译）,
来源：电子设计应用 年份：2007
FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。...
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