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近年来，由于处理器性能和存储性能之间的差距不断扩大，存储系统成为计算机整体系统性能提升的瓶颈．随着微电子技术的迅速发展，新型非易失存储器件由于具有非易失、低能耗、良好的可扩展性和抗震等优良特性，得到了学术界和工业界的广泛关注．介绍了4种新型非易失存储器件，分别是STT—RAM，RRAM，PCRAM和FeRAM，对比了其与传统存储器件的性能参数．讨论了目前在存储架构中的不同层面（即缓存层、主存层和外存层）针对这些非易失存储器件的利用所开展的一些探索性工作，并分析了其中针对非易失存储器件的写次数有限、读写性能